CVD-SiC-Einzelwafer-Suszeptor

Anwendungsszenarien oder Geräte: AMTA-Epitaxiegeräte

Ultrahohe Reinheit (≤100 ppb, ICP-E10-zertifiziert) und außergewöhnliche thermische/chemische Stabilität für kontaminationsresistentes Wachstum von GaN-, SiC- und siliziumbasierten Epi-Schichten. Dank präziser CVD-Technologie unterstützt es 6-, 8- und 12-Zoll-Wafer, gewährleistet minimale thermische Belastung und hält extremen Temperaturen bis zu 1600 °C stand.

Unternehmensstärke

Semixlab Technology Co., Ltd. verfügt über zwei Forschungs- und Entwicklungszentren, zwei Produktionsstandorte, 2 Produktionslinien, über 2 Mitarbeiter und einen F&E-Investitionsanteil von über 12 %. Unsere Produktpalette findet hauptsächlich Anwendung in den Bereichen LED, integrierte Schaltkreise, Halbleiter der dritten Generation, Photovoltaik und weiteren Branchen. Semixlab verfügt über umfassende Forschungs- und Entwicklungskapazitäten, Produktion sowie integrierte Test- und Verifizierungskapazitäten. Gleichzeitig verbessern wir unsere Technologie und Ausrüstung kontinuierlich und investieren jährlich mehrere zehn Millionen Euro.

CVD-SiC-Einzelwafer-Suszeptoren werden hauptsächlich in Geräten zur Silizium-Epitaxie für angewandte Materialien verwendet. Das Material besteht aus importiertem Graphit + CVD-SiC-Beschichtung.

Kernspezifikationsparameter: Siliziumkarbidbeschichtung und Graphitmaterial:

Hauptanwendungen:

Als Zubehör für die AMTA-Epitaxieausrüstung können wir 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer-Suszeptoren bereitstellen.

CVD-SiC-Einzelwafer-Suszeptor in AMTA-Epitaxie-Anlagen:

1. Waferträger und thermische Feldhomogenisierung

Eine Kernfunktion des CVD-SiC-Einzelwafersuszeptors in AMTA-Epitaxiegeräten: In MOCVD-, CVD- und anderen Epitaxiegeräten fungiert der Suszeptor als Waferträger und überträgt mittels Widerstandsheizung oder HF-Heizung gleichmäßig Wärme auf die Waferoberfläche, um das gleichmäßige Wachstum epitaktischer Schichten (z. B. GaN, SiC) sicherzustellen.

Sein Design mit hoher Wärmeleitfähigkeit verringert den Temperaturgradienten zwischen dem Rand und der Mitte, kontrolliert die Temperaturgleichmäßigkeit innerhalb von ±1 °C und vermeidet Materialspannungsdefekte.

2. Barriere gegen chemische Verschmutzung

Graphitsubstrate, die direkt Prozessgasen ausgesetzt sind, neigen zur Oxidation zu CO₂ oder Pulver und verunreinigen so die Reaktionskammer. Die CVD-SiC-Beschichtung dient als Schutzschicht, um Graphit vor korrosiven Gasen zu isolieren und die Partikelverunreinigung auf der Waferoberfläche zu reduzieren.

Beispielsweise kann die Beschichtung im GaN-Epitaxieprozess der Erosion von Vorläufern wie NH₃ und TMGa wirksam widerstehen und die Reinheit des Films gewährleisten.

3. Anpassung diverser Epitaxieprozesse

Halbleiter der dritten Generation: für SiC- oder GaN-Epitaxie auf SiC-Substraten, um die Anforderungen von Hochleistungsgeräten an dicke Filme und niedrige Defektraten zu erfüllen.

Herstellung von Mikro-LEDs: zur Unterstützung der hochpräzisen Positionierung und des Wärmemanagements von Wafern mit sehr geringer Größe (z. B. 8 Zoll) und zur Reduzierung der Wellenlängenverteilungsdispersion.

Materialeigenschaften: Hervorragende Leistung von CVD-SiC

1. Ultrahohe Reinheit und dichte Struktur

Die Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC), die mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) abgeschieden wird, erreicht Verunreinigungsgrade von ≤100 ppb (E10-Standard), wie durch ICP-MS (Induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometrie) bestätigt. Diese ultrahohe Reinheit minimiert das Kontaminationsrisiko während des epitaktischen Wachstums und gewährleistet so eine hervorragende Kristallqualität für kritische Anwendungen wie die Herstellung von Halbleitern mit großer Bandlücke aus Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC).

Die Beschichtungsstruktur ist dicht und gleichmäßig, mit geringer Oberflächenrauheit, was das Risiko der Partikelablösung verringert und die hohen Standardanforderungen von Halbleiter-Reinräumen erfüllt.

2. Extreme Umweltbeständigkeit

Hohe Temperaturbeständigkeit: Die physikochemischen Stabilität kann bei 1600 °C aufrechterhalten werden, was viel höher ist als die Oxidationsschwelle des Graphitsubstrats (ca. 400 °C), wodurch die Lebensdauer erheblich verlängert wird.

Korrosionsbeständigkeit: Extrem beständig gegen korrosive Gase wie Cl₂, H₂ und Plasmaerosion, geeignet für MOCVD, MBE und andere raue Prozessumgebungen.

3. Hervorragende Wärmeleistung

Eine Wärmeleitfähigkeit von bis zu 300 W/mK gewährleistet eine gleichmäßige Erwärmung der Wafer, verringert die Abweichung der epitaktischen Schichtdicke (z. B. Wellenlängenverschiebungsprobleme) und verbessert die Ausbeute von LEDs, Leistungsgeräten und anderen Produkten.

Der Wärmeausdehnungskoeffizient (4×10-⁶/K) liegt nahe an dem eines Graphitsubstrats, wodurch Rissbildung oder Abblättern der Beschichtung aufgrund von Temperaturschwankungen vermieden wird.

4. Mechanische Festigkeit und Haltbarkeit

Biegefestigkeit bis zu 470 MPa, hält hochfrequenten Hochtemperatur-Niedertemperatur-Zyklen und mechanischer Belastung stand, wodurch die Wartungshäufigkeit reduziert wird.

Derzeit kann die Reinheit unserer Siliziumkarbidbeschichtung im ICP-Test E10 erreichen, was etwa 100 ppb entspricht, und dieser Reinheitsgrad gehört zu den höchsten in China.