PECVD-Graphitboot für PV

Das PECVD-Boot (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Boat) ist ein zentrales Prozessgerät, das speziell für die Photovoltaikindustrie entwickelt wurde und in der Dünnschichtabscheidungsphase der hocheffizienten Solarzellenproduktion eingesetzt wird. Es besteht aus hochreinen und hochtemperaturbeständigen Materialien und kann in der rauen PECVD-Prozessumgebung stabil betrieben werden. Es gewährleistet eine gleichmäßige Filmbeschichtung auf Silizium-Wafern und trägt zur Verbesserung der Umwandlungseffizienz und Langzeitzuverlässigkeit der Zellen bei. Dieses Produkt eignet sich für die Abscheidung von Siliziumnitrid (SiNx) oder anderen Funktionsschichten in hocheffizienten Photovoltaikzellen wie mono-/multikristallinen Silizium-Wafern, TOPCon und HJT und ist ein unverzichtbares Verbrauchsmaterial in der Massenproduktion von Photovoltaikzellen.

Technische Parameter

Material: Hergestellt aus isostatischem Graphit (Reinheit ≥ 99.99 %), hält es den hohen Temperaturen von 1200 °C und den häufigen Kalt- und Heißzyklen im PECVD-Prozess stand. Der Wärmeausdehnungskoeffizient beträgt nur 4.5 × 10⁻⁶/°C, wodurch Rissbildung und Verformung vermieden werden. Die Lebensdauer ist im Vergleich zu herkömmlichen Materialien um mehr als 30 % erhöht.

Supergleichmäßiges Wärmefelddesign

Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Graphit (100–120 W/m·K) in Kombination mit einer wabenförmigen Luftkanalstruktur ermöglicht eine schnelle und gleichmäßige Wärmeleitung innerhalb der Reaktionskammer. Der Temperaturunterschied zwischen Silizium-Wafern beträgt ≤ ±2 °C, und die Gleichmäßigkeit der Filmdicke erreicht ±2.5 % (branchenführend).

Oberflächenbehandlungstechnologie mit geringer Kontamination

Die Oberfläche wird mit einer hochdichten Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC) oder einem superglatten Polierverfahren (Ra ≤ 0.2 μm) behandelt, wodurch das Ablösen von Graphitpulver unterdrückt und die Partikelfreisetzungsrate unter 5 Partikeln/cm² gehalten wird, wodurch die Sauberkeitsanforderungen von High-End-Herstellungsprozessen für Photovoltaikzellen erfüllt werden.

Antioxidation und lange Lebensdauer

Optionale Gradienten-Verbund-Antioxidationsbeschichtungen (z. B. Al₂O₃/SiC-Mehrschichtstruktur) können ausgewählt werden, wodurch die Antioxidationsleistung in sauerstoffhaltigen Umgebungen mit hohen Temperaturen um das Fünffache verbessert wird. Die Lebensdauer beträgt über 5 Zyklen, was die Produktionskosten pro Watt deutlich senkt.

Warum sollten Sie sich für ein Graphit-PECVD-Boot entscheiden?

Anpassung von Photovoltaikprozessen: Maßgeschneiderte Lösungen zur Porosität und Oberflächenmodifizierung für die Entschichtung von TOPCon-Phosphorsiliziumglas (PSG), HJT-Niedertemperaturabscheidung und andere spezielle Anforderungen.

Kosteneffizienz: Natürlicher Kostenvorteil von Graphitmaterialien + lange Lebensdauer, die Gesamtkosten werden im Vergleich zu Keramikfahrzeugen um mehr als 40 % reduziert.

Globale Verifizierung und Zuverlässigkeit: Das Produkt wird in der weltweiten Photovoltaik-Produktionslinie mit über 50 GW verwendet, Ausfallrate < 0.1 %.

Semixlab PECVD-Bootsgehäuse:

Beschichtungsgleichmäßigkeit: ±2.8 % → ±2.1 % (optimiert 25 %)

Häufigkeit des Rumpfaustauschs: 800-mal → 1300-mal (62.5 % Verlängerung)

Anwendbare Temperatur: ≤800°C

Siliziumchip-Kompatibilität: 125 mm × 125 mm bis 210 mm × 210 mm (unterstützt Anpassung)

Lebensdauer: ≥1000 mal (abhängig von den spezifischen Prozessbedingungen)

Oberflächenrauheit: Ra≤0.5μm (um eine geringe Partikelverschmutzung zu gewährleisten)

Schnelles Detail:

1. Andere Namen: PECVD-Boot, Graphitboot für PECVD-Prozess, PECVD-Boot (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Carrier Boat).

2. Anwendung: Photovoltaikindustrie, wird in der Dünnschichtabscheidungsphase bei der Herstellung hocheffizienter Solarzellen verwendet.

3. Kernparameter: Reinheit ≥99.995 %, Dichte 1.80–1.85 g/cm³.

Typische Anwendungsszenarien

Abscheidung eines Antireflexfilms aus Siliziumnitrid auf einer einkristallinen PERC-Zelle.

TOPCon-Zellen-Tunneloxidschicht und Herstellung einer polykristallinen Siliziumschicht.

Abscheidungsprozess amorpher Siliziumfilme auf HJT-Zellen.

Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit: Durch die Verwendung von hochreinem Graphit oder maßgeschneiderten keramischen Verbundwerkstoffen kann es der kontinuierlichen Hochtemperatur von bis zu 800 °C im PECVD-Prozess ohne Verformung oder Verunreinigung standhalten und gewährleistet so eine langfristige Stabilität.

Präzises Gleichmäßigkeitsdesign: Eine optimierte Schlitzstruktur und Oberflächenbehandlungstechnologie garantieren eine gleichmäßige Erwärmung der Silizium-Wafer während des Abscheidungsprozesses mit einer Filmdickenkonsistenz von ±3 %, wodurch die Effizienz und Ausbeute der Batterie deutlich verbessert wird.

Geringe Kontamination und lange Lebensdauer: Eine spezielle Oberflächenbeschichtungstechnologie verhindert wirksam die Partikelanhaftung und verringert so das Risiko einer Prozesskontamination. Die hohe Korrosionsbeständigkeit gewährleistet eine Lebensdauer von über 1000 Zyklen und senkt so die Gesamtkosten des Kunden.

Kompatibilität und Flexibilität: Unterstützt verschiedene Silizium-Wafergrößen (M6/M10/G12 usw.) und unterschiedliche Prozessanforderungen, bietet kundenspezifische Schlitzabstände und Bootstrukturdesigns und ist mit gängigen PECVD-Geräten (wie Centrotherm, Meyer Burger usw.) kompatibel.