SiC-Keramik

Siliziumkarbidkeramik (SiC) findet zunehmend Anwendung in Halbleiteranlagen, vor allem aufgrund ihrer höheren Beständigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen. Bei hohen Temperaturen oder aggressiveren Prozessen stoßen Materialien wie Quarz oder Silizium an ihre Grenzen – hier kommt SiC zum Einsatz. In Ofenprozessen wie Oxidation oder Diffusion zeichnen sich Bauteile wie Waferboote oder Paddel aus SiC durch eine längere Lebensdauer aus. Sie behalten ihre Form und weisen auch nach langen Laufzeiten nur geringe Kontaminationsraten auf. Aus diesem Grund wird häufig von Quarz auf SiC umgestiegen, insbesondere bei hohem Wartungsaufwand.

Für Ätzprozesse wird SiC häufig gewählt, da es plasmabeständiger ist. Der Unterschied in der Lebensdauer im Vergleich zu Siliziumbauteilen ist in vielen Anlagen deutlich spürbar, hängt aber vom jeweiligen Prozess ab. SiC trägt auch zur besseren Partikelkontrolle bei, die mit abnehmender Strukturgröße empfindlicher wird. SiC wird außerdem als Suszeptor in MOCVD- oder CVD-Verfahren eingesetzt. Hierbei geht es weniger um Festigkeit als vielmehr um ein stabiles Temperaturverhalten. Darüber hinaus findet es Verwendung in Kammerbauteilen wie Auskleidungen oder Duschköpfen und gelegentlich auch in Handhabungskomponenten.