CVD-Beschichtung aus Tantalkarbid (TaC)

Eine TaC-Beschichtung wird üblicherweise dann in Betracht gezogen, wenn SiC an seine Grenzen stößt. Dies ist häufiger bei der SiC-Epitaxie oder dem Kristallwachstum der Fall, wo sowohl die Temperatur als auch die Prozessatmosphäre höhere Anforderungen stellen.

Aufgrund seines deutlich höheren Schmelzpunktes verträgt TaC längere Hochtemperatureinwirkungen besser, insbesondere in Umgebungen mit Wasserstoff oder Salzsäure. In der Praxis macht sich dies bei Prozessen wie dem PVT-Wachstum bemerkbar, wo die thermische Stabilität die Kristallqualität direkt beeinflusst.

Typische Anwendungsgebiete sind Strömungsführungsringe, Keimträger, Tiegelbauteile und andere Strukturen im thermischen Feld. Diese Komponenten sind über lange Zeiträume rauen Bedingungen ausgesetzt, weshalb die Reduzierung von Degradation von großer Bedeutung ist. In einigen Anlagen ersetzt TaC zunehmend ältere Materialien wie pBN und sogar einige SiC-beschichtete Bauteile, wobei dies jedoch weiterhin von Kosten und Prozessdesign abhängt.