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SiC-Kristallwachstumsrohstoff
| Herkunftsort: | China, Kambodscha |
| Markenname: | Semixlab |
| Modellnummer: | CVD-SiC |
| Zertifizierung: | ISO 9001 |
| Mindestbestellmenge: | Einige kg (Unterstützung beim Kauf kleiner Chargen auf F&E-Ebene) |
| Preis: | Passen Sie Angebote an die Spezifikationen an und unterstützen Sie Bestellungen mit hoher Reinheit (≥99.9999 %). |
| Verpackungsdetails: | Mit hochreinem Inertgas versiegelte Flasche, feuchtigkeitsbeständiger und oxidationshemmender Aluminiumfolienbeutel |
| Lieferzeit: | 7–15 Tage (Standard) / 20–30 Tage (benutzerdefinierte Formel) |
| Zahlungsbedingungen: | T/T (50 % im Voraus, 50 % vor Lieferung) |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | Monatliche Produktionskapazität 500 kg, unterstützt Bestellungen mit hoher Reinheit (≥99.9999 %) |
Beschreibung
SiC-Kristallwachstumsrohstoff ist das neueste, von Semixlab entwickelte Material. Hauptbestandteil ist der CVD-SiC-Block. Die Qualität des aus diesem Rohstoff gezüchteten SiC-Einkristalls ist hervorragend und branchenführend.
Produktkern hell
Subversiver Vorbereitungsprozess
Durch die Verwendung einer unabhängigen patentierten Fließbett-CVD-Technologie (Patentnummer: ZL2024XXXXXXX) und Methyltrichlorsilan (MTS) als Vorläufer wird Folgendes erreicht:
Reinheit > 99.9995 % (GDMS-Gesamtelementanalyse)
Stickstoffgehalt ≤0.09 ppm (keine zusätzliche Reinigung)
Partikelgröße 4–10 mm (herkömmliche Selbstverteilungsmethode < 2.5 mm)
Vorteil des Kristallwachstums
| Index | konventionelles selbstverteilendes SiC-Pulver | Semixlab SiC-Kristallwachstumsrohstoff |
| Die Dichte der Mikrotubuli lag zwischen | 103~ 104cm-2 | < 300 cm-2 |
| Die Auslastungsrate der Rohstoffe | 30%-40% | > 50% |
Umweltschutz und Wirtschaft
Keine Schadstoffe freisetzen: Salzsäure kann zu Salz neutralisiert werden
Kostensenkung um 30 %: Rohstoff Methyltrichlorsilan ist Chinas dominierende Chemikalie
SiC-Kristalle, gezüchtet unter Verwendung von SiC-Kristallwachstumsrohstoff
Schnelles Detail:
1. Andere Namen: CVD-SiC-Block; SiC-Fragment.
2. Anwendung: Rohmaterial für das Wachstum von SiC-Einkristallen.
3. Kernparameter: Reinheit > 99.9995 % (GDMS-Gesamtelementanalyse), Stickstoffgehalt ≤ 0.09 ppm (keine zusätzliche Reinigung), Partikelgröße 4–10 mm (herkömmliche Selbstausbreitungsmethode < 2.5 mm).
Spezifikationen
Anwendungen
Rohmaterial für das Wachstum von SiC-Einkristallen.
Wettbewerbsvorteilen
1. Ein Durchbruch in Sachen Reinheit
Reinheit ≥99.9995 % (GDMS-Gesamtelementanalyse). Der Stickstoffgehalt ≤0.09 ppm wurde durch chemische Gasphasenabscheidung erreicht (keine Nachreinigung). Besonders geeignet für die Züchtung halbisolierender SiC-Einkristalle.
2. Optimierung von Partikelgröße und -dichte
Große Partikelgröße (4–10 mm), deutliche Verbesserung der Crucpot-Ladekapazität (mehr als 1.5 kg bei gleichem Volumen), Reduzierung von Kohlenstoffeinkapselungsdefekten während des Kristallwachstums.
3. Der Kostenvorteil ist erheblich
Reduzieren Sie die Rohstoffkosten um 30 %.
Bei Verwendung von Methyltrichlorsilan (MTS) als Vorläufer betragen die Rohstoffbeschaffungskosten nur 1/3 der Kosten für die herkömmliche Herstellung von hochreinem Silicastaub und Graphit. Die Rohstoffausnutzungsrate liegt bei > 50 % (herkömmliches Verfahren nur 30–40 %).
4. Umweltschutz-Kreislaufprozess
Keine Schadstoffemissionen.
Salzsäure, das Nebenprodukt der Produktion, erzeugt durch Neutralisationsreaktion unschädliche Salze, wodurch die drei Abfallbehandlungsprobleme traditioneller Verfahren vollständig vermieden werden (die Kosten für Beizen/Abgasbehandlung betragen mehr als 15 %).
5. Kristallqualitätssprünge
Die Dichte der Mikrotubuli betrug < 300 cm-2.
Das Si/C-Atomverhältnis des Rohmaterials liegt nahe bei 1:1 (Abweichung bei herkömmlichen Verfahren > 5 %), wodurch die Silizium-Segregationsdefekte während des Kristallwachstums reduziert werden. Die Barrenausbeute beträgt 85–92 % (65–75 % der Konkurrenzprodukte), wodurch der Einkristall-Schneidverlust nachfolgender Kunden reduziert wird.
