Siliziumkarbid-Keramik-Waferboot

Das Siliziumkarbid-Keramik-Waferboot ist ein leistungsstarkes Trägermaterial für die Halbleiterfertigung und Photovoltaik. Es besteht aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC)-Keramikmaterial, das im fortschrittlichen presslosen Sinterverfahren hergestellt wird. Es zeichnet sich durch hervorragende Temperaturbeständigkeit, chemische Stabilität und mechanische Festigkeit aus und wird zum zentralen Verbrauchsmaterial bei der Waferübertragung, beim Hochtemperaturglühen und anderen Präzisionsprozessen.

1. Stabilität in extremen Umgebungen

Die Molekularstruktur der SiC-Keramik verleiht ihr eine extrem hohe thermische Stabilität, die ihre strukturelle Integrität auch bei dauerhaft hohen Temperaturen von 1650 °C aufrechterhält. Im Vergleich zu herkömmlichen Quarz- oder Aluminiumoxidmaterialien ist der Wärmeausdehnungskoeffizient von SiC-Schiffchen sehr niedrig (nur 4.5 × 10^-6/°C), wodurch Verformungen oder Risse durch plötzliche Temperaturänderungen wirksam vermieden werden. Bei der Halbleiterherstellung kann diese Eigenschaft die Verschiebungsabweichung des Wafers im Hochtemperaturprozess deutlich reduzieren und die Ausbeute verbessern.

2. Unübertroffene Korrosionsbeständigkeit

Siliziumkarbidkeramiken weisen eine hohe Beständigkeit gegen starke Säuren (wie Flusssäure, Schwefelsäure), starke Basen und oxidierende Gase (Cl₂, O₂) auf. Selbst in Schwefel- oder Halogenatmosphäre bei 1400 °C bleibt die Oberfläche glatt und korrosionsfrei, sodass keine Verunreinigungen auf der Waferoberfläche verbleiben.

3. Lange Lebensdauer und wirtschaftliche Vorteile

Durch das einzigartige Oberflächenverdichtungsverfahren ist die Verschleißfestigkeit des Siliziumkarbid-Schiffchens mehr als 15-mal höher als bei herkömmlichen Materialien. Tests zeigen, dass die Oberflächenrauheit nach 1000 Zyklen in einer Oxidationsatmosphäre von 1400 °C immer noch unter 0.2 μm Ra liegt und die Umschlagzeiten fünf- bis achtmal so hoch sind wie bei herkömmlichen Keramikschiffchen. Dies reduziert die Häufigkeit von Anlagenstillständen und -austausch erheblich und ermöglicht eine Gesamtkostenersparnis von über 5 %.

Schnelles Detail:

1. Andere Namen: Siliziumkarbid-Kristallschiffchen, Halbleiterkeramikträger.

2. Anwendung: Wird bei Hochtemperaturdiffusions-, Oxidations- und Glühprozessen in der Halbleiterherstellung verwendet, um Siliziumwafer zu tragen und eine gleichmäßige Wärmeverteilung sicherzustellen.

3. Kernparameter: Reinheit ≥99.99 %, maximale Temperaturbeständigkeit von 1500 °C, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient (4.5 × 10-6/℃), hohe Temperaturschockbeständigkeit.

Hochtemperatur-Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben (Oxidation, Glühen, Dotierung). 

Beschichtung und Sintern von Wafern in der Photovoltaikindustrie.

Ultrahohe Temperaturstabilität: Langzeitbeständigkeit bis 1500 °C, keine Verformung oder Leistungsminderung.

Design mit geringer Umweltverschmutzung: hochreines Material + nicht klebendes Verfahren, Vermeidung von Metallionenverschmutzung.

Lange Lebensdauer: Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit, 3-5 Mal längere Lebensdauer als Quarzträger.

Flexible Anpassung: Stützgröße, Schlitzabstand, Tiefenanpassung der Oberflächenbehandlung.