Waferboot aus hochreinem Quarz

Das hochreine Quarzwaferboot wird aus synthetischem Quarzsand im Lichtbogenschmelzverfahren hergestellt. Es weist einen sehr niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und eine ausgezeichnete Thermoschockbeständigkeit auf, sodass beim schnellen Steigen und Fallen keine Verformungs- oder Rissgefahr besteht. Die Oberfläche ist präzise poliert, um die Partikelverschmutzung zu reduzieren und eignet sich für die rauen und sauberen Umgebungen in der Halbleiterfertigung. Das Produkt ist in kundenspezifischen Größen erhältlich (Länge 100–500 mm, Anzahl der Schlitze 2–24) und passt sich verschiedenen Wafergrößen (4–12 Zoll) an.

1. Eigenschaften des Kernmaterials

Lichtbogenschmelzverfahren von synthetischem Quarzsand

Aus ultrareinem Quarzsand (SiO₂-Reinheit ≥99.999 %) wird mittels Lichtbogenschmelztechnologie eine amorphe Quarzglasstruktur hergestellt. Dieses Verfahren eliminiert Korngrenzendefekte, verbessert die Materialgleichmäßigkeit deutlich und stellt sicher, dass die Waferboote bei hohen Temperaturen (≤1250 °C) stabil bleiben.

Extrem niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient

Der Wärmeausdehnungsfaktor beträgt nur 5.5×10^-7K^-1(20–300 °C), wodurch bei schnellem Temperaturanstieg und -abfall (z. B. 200 °C/min bei Halbleiterprozessen) nahezu keine Größenänderung auftritt und Mikrorisse oder Verformungen aufgrund thermischer Spannung vermieden werden.

Optimierung der Thermoschockbeständigkeit

Durch den Gradientenglühprozess kann die Temperaturdifferenz der Thermoschocktoleranz 1200 °C → Raumtemperatur für mehr als 100 Zyklen ohne Rissbildung erreichen, wodurch die strengen Anforderungen der Ionenimplantation, des Schnellglühens und anderer Prozesse erfüllt werden.

2. Präzisionsbearbeitung und Oberflächenbehandlung

Nanoskalige Poliertechnologie

Die Oberflächenrauheit wird auf Ra≤0.2μm kontrolliert, und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) in Kombination mit Plasmaätzen wird verwendet, um die Adsorption von Partikeln effektiv zu reduzieren, und die Sauberkeit entspricht dem SEMI F47-Standard (Partikelanzahl ≤10 /[E-Mail geschützt] μm).

Antifouling-Beschichtung (optional)

Die Oberflächenbeschichtung aus Siliziumkarbid oder Siliziumnitrid kann individuell angepasst werden, um den Reibungskoeffizienten der Wafer-Kontaktfläche (μ ≤ 0.05) zu reduzieren und so das Risiko von Kratzern und Metallionenmigration zu verringern.

Schnelles Detail:

1. Andere Namen: Quarzschiffchen, Waferhalterung.

2. Anwendung: Tragen und Übertragen von Halbleiterwafern im Hochtemperaturprozess, geeignet für Diffusion, Oxidation und andere Prozesse.

3. Kernparameter: Reinheit ≥99.99 %, maximale Temperaturbeständigkeit 1200 °C, Wärmeausdehnungskoeffizient 5.5 × 10^-7/℃.

1. Verarbeitung von Halbleiterwafern (Diffusionsofen, Oxidationsofen).

2. Verarbeitung von Siliziumwafern in der Photovoltaikindustrie.

3. Experimentelles Waferlager für hohe Temperaturen in Laborqualität.

Branchenführende Reinheit, Gehalt an Metallverunreinigungen < 1 ppm.

Lange Lebensdauer (≥500 Hochtemperaturzyklen).

Unterstützt nicht standardmäßige Anpassungen und kurze Lieferzyklen.