SiC-Keramiktiegel

Der SiC-Keramiktiegel dient als wichtiges Aufbewahrungs- und Reaktionsgefäß in Prozessen wie dem Kristallwachstum von SiC und GaN, der epitaxialen Abscheidung, der Diffusion und dem Hochtemperaturglühen – wo Reinheit, Stabilität und Temperaturhomogenität direkt die Waferausbeute und die Kristallqualität bestimmen.

Materialeigenschaften

● Materialzusammensetzung: Hochreines gesintertes SiC oder CVD-SiC (≥99.9 %)

● Dichte & Mikrostruktur: Vollständig dichte, feinkörnige und porenfreie Struktur für überlegene Gasundurchlässigkeit

● Thermische Stabilität: Hervorragende Leistung bis 2000 °C in inerten oder reaktiven Gasatmosphären

● Wärmeleitfähigkeit: 120–200 W/m·K, gewährleistet eine hervorragende Temperaturhomogenität

● Korrosionsbeständigkeit: Hervorragende Stabilität in Prozessgasen auf Wasserstoff-, Chlor- und Halogenbasis

● Oberflächenbeschaffenheit: Hochglanzpoliert und plasmagereinigtes Material zur Minimierung der Partikelbildung

Wichtige Anwendungen in der Halbleiterfertigung

Der SiC-Keramiktiegel spielt in mehreren Phasen der Halbleiterfertigung eine entscheidende Rolle, unter anderem:

1. Kristallwachstum und Epitaxie

SiC-Tiegel werden in PVT- (Physical Vapor Transport) und CVD-Epitaxiesystemen eingesetzt und bieten einen stabilen, nicht reaktiven Behälter für Ausgangsmaterialien und wachsende Kristalle.

Ihre hohe Reinheit und der passende Wärmeausdehnungskoeffizient minimieren Verunreinigungen und Spannungen und gewährleisten so eine fehlerfreie Kristallbildung auf SiC-, GaN- und Ga₂O₃-Substraten.

2. Hochtemperaturdiffusion und Glühen

Bei Wärmebehandlungs-, Diffusions- und Oxidationsprozessen behalten SiC-Tiegel ihre Form und chemische Integrität auch unter extremen Temperaturzyklen bei, wodurch eine Ausgasung und Partikelfreisetzung verhindert wird, die die Waferqualität beeinträchtigen könnte.

3. Materialsintern und Pulververarbeitung

SiC-Tiegel eignen sich auch ideal zum Sintern von Halbleiterpulver, da sie unter Vakuum- oder kontrollierten Atmosphärenbedingungen chemische Inertheit bei hohen Temperaturen und Dimensionsstabilität bieten.

Die Vorteile von Semixlab

Bei Semixlab Semiconductor bieten wir mehr als nur Komponenten – wir liefern umfassende Engineering-Lösungen, um den strengen Anforderungen der Halbleiterfertigung gerecht zu werden.

1. Kundenspezifisches Design

● Maßgeschneiderte Tiegelgeometrie, Wandstärke und Gaseinlasskonfiguration.

● Kompatibel mit den wichtigsten Kristallzucht- und CVD-Systemen (LPE, PVT, AIXTRON, Veeco usw.).

2. Technische Beratung

● Eigene Materialwissenschaftler und Verfahrenstechniker mit über 20 Jahren Branchenerfahrung.

● Unterstützung für thermische Auslegung, Gasströmungssimulation und Prozessabstimmung.

3. Qualitätssicherung vor der Auslieferung

● Jeder Tiegel wird einer Maßgenauigkeitsprüfung, einem Helium-Lecktest und einer Oberflächenrauheitsanalyse unterzogen.

● Optionale CVD-Schutzbeschichtung und Spiegelpolierservice für längere Lebensdauer und bessere Sauberkeit.

Der Semixlab SiC-Keramiktiegel setzt neue Maßstäbe für thermische Stabilität, Reinheit und chemische Beständigkeit in der modernen Halbleiterfertigung. Dank kundenspezifischer Designoptionen, technischer Beratung und strenger Qualitätskontrollen vor dem Versand stellt Semixlab sicher, dass jedes Produkt die hohen Anforderungen von Hochtemperatur- und Hochreinheitsanwendungen in der Halbleiterindustrie erfüllt. Wir freuen uns auf Ihre Anfragen.