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Halbleiterquarzbad
Schnelles Detail:
1. Andere Namen: Halbleiter-Quarztank, Quarzbad für Halbleiter, Quarztank für Halbleiter.
2. Anwendung: Das Halbleiterquarzbad ist eine hochreine, korrosionsbeständige Komponente, die speziell für die Präzisionsreinigung und chemische Verarbeitung in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Dieses Quarzbad ist kompatibel mit dem WS-620C/WS-820C/WS-820L-System, arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen (bis zu 175 °C) und ist für den Einsatz mit Phosphorsäurelösungen (H₃PO₄) optimiert. Dies gewährleistet eine außergewöhnliche Leistung bei kritischen Waferreinigungsprozessen.
3. Kernparameter:
Quarzglas (>99.99 % SiO₂).
Außergewöhnliche chemische Inertheit gegenüber H₃PO₄ (Phosphorsäure) bei erhöhten Temperaturen, wodurch Zersetzung oder Partikelbildung verhindert werden.
Hält Dauerbetrieb bei 160 °C und Spitzentemperaturen von 175 °C stand und behält dabei die strukturelle Integrität und Dimensionsstabilität.
Beschreibung
Das Halbleiterquarzbad ist eine hochreine, korrosionsbeständige Komponente, die speziell für die Präzisionsreinigung und chemische Verarbeitung in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Dieses Quarzbad ist kompatibel mit dem WS-620C/WS-820C/WS-820L-System und arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen (bis zu 175 °C). Es ist für den Einsatz mit Phosphorsäurelösungen (H₃PO₄) optimiert und gewährleistet so eine außergewöhnliche Leistung bei kritischen Waferreinigungsprozessen.
Hauptfunktionen
Materielle Überlegenheit
Hochreiner Quarz: Hergestellt aus synthetischem Quarzglas (> 99.99 % SiO₂), wodurch minimale Verunreinigungen und Beständigkeit gegen Temperaturschocks gewährleistet werden.
Säurebeständigkeit
Außergewöhnliche chemische Inertheit gegenüber H₃PO₄ (Phosphorsäure) bei erhöhten Temperaturen, wodurch Zersetzung oder Partikelbildung verhindert werden.
Thermische Stabilität
Hält Dauerbetrieb bei 160 °C und Spitzentemperaturen von 180 °C stand und behält dabei die strukturelle Integrität und Dimensionsstabilität.
Leistungsvorteile
Kontaminationskontrolle: Die ultraglatte Oberflächenbeschaffenheit minimiert die Partikelhaftung, was für Halbleiterknotenprozesse im Submikrometerbereich von entscheidender Bedeutung ist.
Langlebigkeit: Die Beständigkeit von Quarz gegenüber Säurekorrosion und thermischer Ermüdung verlängert die Lebensdauer und reduziert Ausfallzeiten und Wartungskosten.
Prozesskonsistenz: Eine stabile Wärmeleitfähigkeit gewährleistet eine gleichmäßige Temperaturverteilung und verbessert so die Reinigungseffizienz und Wiederholbarkeit.
Warum sollten Sie sich für das Halbleiterquarzbad von Semixlab entscheiden?
Halbleiterqualität: Hergestellt in einer Reinraumumgebung, um den SEMI-Standards zu entsprechen.
Maßgeschneiderte Lösungen: Kundenspezifische Designs verfügbar, um spezifischen Prozessanforderungen gerecht zu werden.
Zuverlässigkeit: Strenge Qualitätstests gewährleisten die Einhaltung der Anforderungen der Halbleiterindustrie.
Spezifikationen
| Mechanische Eigenschaft | Dichte (g/cm3) | 2.2 |
| Mohs-Härte | 6 bis 7 | |
| Druckfestigkeit (MPa) | 1100 | |
| Zugfestigkeit (N/mm2) | 50 | |
| Biegefestigkeit (N/mm2) | 65 | |
| Torsionsfestigkeit (N/mm2) | 30 | |
| Elastizitätsmodul (MPa) | 7.2x104 | |
| Poisson-Verhältnis | 0.16 | |
| Thermische Eigenschaften | Wärmeausdehnungskoeffizient (20~320℃,k-1) | 5.5x10-7 |
| Wärmeleitfähigkeit (20 °C, W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Spezifische Wärmekapazität (20 °C, J·kg)-1k-1) | 670 | |
| Erweichungspunkt (℃) | 1700 | |
| Glühpunkt (℃) | 1180 | |
| Kühltemperatur (°C) | 1080 | |
| Elektrisches Eigentum | Elektrischer Widerstand (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Dielektrizitätskonstante (10 GHz) | 3.74 | |
| Dielektrischer Verlust (10 GHz) | 0.0002 | |
| Durchschlagsfestigkeit (V·m-1) | 3.7x107 |
Anwendungen
Waferreinigung: Entfernung von Fotolack, Rückständen und Verunreinigungen in H₃PO₄-basierten Lösungen nach dem Ätzen oder der Lithografie.
Hochtemperaturprozesse: Geeignet für fortgeschrittene Schritte in der Halbleiterherstellung, die aggressive Chemikalien bei erhöhten Temperaturen erfordern.
Kompatibilität: Ideal für WS-620C/WS-820C/WS-820L-Systeme in Fabriken, die Logik-, Speicher- oder Stromversorgungsgeräte herstellen.
