CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung

Die CVD-SiC-Beschichtung ist im Prinzip eine auf Graphit abgeschiedene Siliziumkarbidschicht und findet breite Anwendung in Epitaxieanlagen, wo Temperatur und Reinheit entscheidend sind. In realen Produktionslinien sieht man sie häufig in Systemen von AIXTRON, ASM/LPE, Veeco sowie einigen AMAT-Plattformen. Ihre Vorteile liegen nicht nur in der Temperaturbeständigkeit, sondern auch in der Stabilität über lange Zeiträume. Unter typischen Epitaxiebedingungen – Wasserstoff, Ammoniak oder sogar chlorierte Gase – bleibt die Beschichtung relativ stabil und schützt den darunterliegenden Graphit. Dies trägt zu einem gleichmäßigeren Temperaturfeld bei und verringert die Wahrscheinlichkeit von Partikelbildung während des Wachstums.

Die Beschichtung wird meist auf Bauteile wie Suszeptoren, Waferträger, Graphitringe oder Halbmondkomponenten aufgebracht. Da diese Bauteile direkt am Erhitzen oder Positionieren der Wafer beteiligt sind, kann bereits eine geringe Instabilität die Ausbeute beeinträchtigen. Aus diesem Grund werden beschichtete Bauteile oft als Verbrauchsmaterialien behandelt, die dennoch über mehrere Zyklen hinweg zuverlässig funktionieren müssen, insbesondere in der 4- bis 12-Zoll-Produktion.