SiC-beschichtete Set-Scheibe

Zusammensetzung der SiC-beschichteten Set-Scheiben

Die Semixlab SiC Coated Set Disc ist ein Waferträger für Aixtron MOCVD-Anlagen. Sie besteht im Wesentlichen aus den folgenden zwei Teilen:

1. Substratmaterial: hochreiner isostatischer Graphit

Materialeigenschaften: extrem hohe Wärmeleitfähigkeit (bis zu 180 W/m·K), starke Stabilität bei hohen Temperaturen, verformt sich nicht leicht und reißt nicht.

Vorteile: Sorgt für eine gute thermische Gleichmäßigkeit und strukturelle Festigkeit der Wafer, was eine wichtige Grundlage für die Gewährleistung der Konsistenz des Wachstumsprozesses darstellt.

2. Oberflächenbeschichtung: CVD-Abscheidung von hochreinem SiC (Siliziumkarbid)

Abscheidungsmethode: Es wird ein plasmaunterstütztes CVD- oder thermisches CVD-Verfahren verwendet und die Beschichtungsdicke wird zwischen 50 und 200 μm kontrolliert.

Merkmalsbeschreibung: Die Oberflächenschicht ist dicht und porenfrei, weist eine mechanische Festigkeit von nahezu Mohshärte 9 auf und ist äußerst korrosions- und temperaturbeständig.

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Analyse der wichtigsten physikalischen Eigenschaften

1. Hohe Temperaturbeständigkeit

Die Obergrenze der Betriebstemperatur kann über 1600 °C erreichen. Die Beschichtungsstruktur reißt oder blättert aufgrund thermischer Belastung nicht ab und hält einer MOCVD-Reaktionsumgebung mit langen Zyklen stand.

2. Wärmeleitfähigkeit und thermische Gleichmäßigkeit

Die Kombination aus Substrat und Beschichtung verbessert die Wärmeleitung und verhindert Waferwachstumsdefekte durch ungleichmäßige Wärmezufuhr. Die gleichmäßige Wärmeleitung gewährleistet eine gleichmäßige Verteilung der Beschichtungsdicke und -zusammensetzung und verbessert die Ausbeute.

3. Chemische Korrosionsbeständigkeit

Die Beschichtung widersteht wirksam hochkorrosiven MOCVD-Prozessgasen wie Wasserstoff, Ammoniak, TMGa und TMAl. Das Material selbst weist eine hochdichte β-SiC-Struktur auf und es treten nahezu keine Nebenreaktionen mit dem Reaktionsgas auf.

4. Oberflächenpartikelkontrolle

Die Beschichtungsoberfläche weist eine geringe Rauheit (Ra < 0.5 μm) auf und nimmt nur schwer Partikel auf oder blättert nicht so leicht ab. Reduziert die Kontamination durch Mikropartikel während des Prozesses und ist besonders für große Waferprozesse ab 6 Zoll geeignet.

Produktanwendungsszenarien und ihre Funktionen

1. Speziell für die Aixtron-Planetenreaktorstruktur entwickelt

Anwendbar auf die Reaktionskammern von Planetendrehtischstrukturen wie AIX 200 und AIX 2800G4.

Die Scheibenstruktur ist präzise darauf ausgelegt, die thermische Symmetrie und den Luftstromausgleich des Wafers während der Rotation sicherzustellen.

2. Wichtige Rolle in der Verbindungshalbleiterepitaxie

Anwendbar auf das epitaktische MOCVD-Wachstum verschiedener III-V-Verbindungsmaterialien, einschließlich, aber nicht beschränkt auf:

● GaN/AlGaN: für LEDs, Laser, Leistungsgeräte.

● AlN, InGaN: für UV-LEDs und Hochfrequenzgeräte.

● GaAs/InP-Epitaxie: für elektronische Hochgeschwindigkeitsgeräte und Laserkommunikationschips.

Industriekette für die Epitaxie von Halbleiterchips:

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