SiC-beschichteter Graphithalter für ICP

Multi-Wafer-Si-Epitaxie-Prozessplattform

Der SiC-beschichtete Graphithalter von Semixlab für ICP wurde speziell für das induktiv gekoppelte Plasmaätzen und die -abscheidung entwickelt. Er verwendet ein hochreines Graphitsubstrat in Kombination mit einem Siliziumkarbid-Beschichtungsverfahren, um eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Oxidationsbeständigkeit zu gewährleisten. Er eignet sich für raue Analyseumgebungen, verlängert die Lebensdauer der Komponenten erheblich und reduziert die Wartungskosten. Gleichzeitig garantieren wir strenge Qualitätskontrollen, maßgeschneiderten Service und schnelle Lieferung.

Anwendung:

SiC-beschichtete Graphithalter sind aufgrund ihrer hohen Reinheit, hohen Temperaturbeständigkeit und ausgezeichneten Plasmaerosionsbeständigkeit eine Schlüsselkomponente bei Ätz- und Abscheidungsprozessen von Halbleitern mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP).

Mögliche Leistungen:

Analyse von Anwendungsszenarien beim Kunden, passende Materialien, Lösung technischer Probleme.

Firmenprofil:

Semixlab verfügt über zwei Labore und ein Expertenteam mit 2 Jahren Materialerfahrung sowie über F&E-, Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.

Technische Parameter

Hauptanwendungsgebiete

Bestätigung der ökologischen Kettenüberprüfung

Die ökologische Kettenüberprüfung des SiC-beschichteten Graphithalters von Semixlab für ICP reicht von den Rohstoffen bis zur Produktion, hat die internationale Standardzertifizierung bestanden und verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, um seine Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in den Bereichen Halbleiter und neue Energien sicherzustellen.

Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepaper oder Mustertestanordnungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Supportteam, um herauszufinden, wie Semixlab Ihre Prozesseffizienz steigern kann.

Vorteile des SiC-beschichteten Graphithalters von Semixlab für ICP-Kerne

Super Korrosionsbeständigkeit

SiC-beschichtete Graphithalter bilden durch chemische Gasphasenabscheidung eine dichte Schutzschicht aus Siliziumkarbid auf der Graphitoberfläche und schützen so wirksam vor Korrosion durch starke Säuren, Basen und organische Lösungsmittel. Im Vergleich zu herkömmlichen Graphit- oder Metallhaltern sind diese Halter bei der Handhabung hochkorrosiver Proben stabiler und verhindern Kontaminationen durch Materialzersetzung. Sie eignen sich besonders für ICP-Anwendungen mit langfristiger Einwirkung korrosiver Medien.

Hochtemperaturstabilität

In der Hochtemperatur-ICP-Plasmaumgebung oxidiert und abgetragen gewöhnlicher Graphit leicht, während die SiC-Beschichtung die Reaktion zwischen Graphitsubstrat und Sauerstoff deutlich hemmt. Ihre Hochtemperaturbeständigkeit gewährleistet, dass der Halter auch unter langfristigen Hochtemperaturbetriebsbedingungen seine strukturelle Integrität behält und so Leistungseinbußen des Instruments durch thermische Verformung oder Materialverlust verhindert. Sie eignet sich besonders für die kontinuierlichen Testanforderungen von Hochdurchsatzlaboren.

Hohe mechanische Festigkeit

SiC hat eine Härte, die der von Diamant nahekommt, und seine Beschichtung verbessert die Verschleißfestigkeit der härteren Oberfläche deutlich. Bei ICP reduzieren SiC-Beschichtungen den Oberflächenverschleiß und erhöhen die Passgenauigkeit wichtiger Komponenten. Dadurch wird eine stabile Ionenübertragungseffizienz aufrechterhalten und die Austauschhäufigkeit reduziert.

Kosteneffiziente Lösung

Im Vergleich zu reinem SiC oder Platin bietet SiC-beschichteter Graphit eine hervorragende Leistung und reduziert gleichzeitig die Kosten um 30–50 %. Seine Lebensdauer ist 3–5 Mal höher als die von herkömmlichen Graphithaltern, was Ausfallzeiten und Verbrauchsmaterial deutlich reduziert. Es ist eine optimale und kostengünstige Lösung, insbesondere für Labore mit begrenztem Budget, die einen langfristig stabilen Betrieb benötigen.