SiC-beschichteter Wafer-Suszeptor

SiC-beschichtete Wafer-Suszeptoren sind eine Schlüsselkomponente in Hochtemperaturprozessen wie Halbleitern, LEDs und Photovoltaik. Sie werden hauptsächlich zum Tragen und Erhitzen von Wafern (z. B. Si, GaN, SiC, Saphir und anderen Substraten) in Prozessen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) und der Epitaxie eingesetzt. Die SiC-Beschichtung bietet hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und thermische Stabilität und eignet sich für raue Prozessumgebungen.

Anwendung:

Mit SiC (Siliziumkarbid) beschichtete Wafer-Suszeptoren sind eine Schlüsselkomponente, die in der Halbleiterherstellung und bei Hochtemperaturprozessen weit verbreitet ist und hauptsächlich zum Stützen und Erhitzen von Wafern verwendet wird.

Mögliche Leistungen:

Analyse von Anwendungsszenarien beim Kunden, passende Materialien, Lösung technischer Probleme.

Unternehmensprofil:

Semixlab verfügt über zwei Labore und ein Expertenteam mit 2 Jahren Materialerfahrung sowie über F&E-, Produktions-, Test- und Verifizierungskapazitäten.

Technische Parameter

Hauptanwendungsgebiete

Bestätigung der ökologischen Kettenüberprüfung

Der SiC-beschichtete Wafer-Suszeptor von Semixlab hat die internationale Standardprüfung bestanden, seine Qualität wurde offiziell anerkannt und er verfügt über eine Reihe patentierter Technologien, wodurch eine SiC-Beschichtungsreinheit von über 99.9999 % erreicht wird.

Typischer Bewerbungsprozess

Graphitsubstratverarbeitung → Oberflächenvorbehandlung → SiC-Beschichtungsvorbereitung → Nachbearbeitung → Qualitätsprüfung → Reinigung und Verpackung

Durch modernste Prozessparameteroptimierung hat der Semixlab SiC-beschichtete Wafer-Suszeptor einen bedeutenden technologischen Durchbruch in hochwertigen Halbleiter-Epitaxieanwendungen erzielt. Diese Innovation ermöglicht eine fortschreitende Importsubstitution im Halbleitermarkt und bietet eine leistungsstarke und kostengünstige Lösung für den heimischen Markt. Unsere Suszeptoren wurden erfolgreich in epitaktischen Wachstumsszenarien wie GaN, SiC, LED und Leistungsbauelementen eingesetzt und zeichnen sich durch außergewöhnliche thermische Stabilität, Gleichmäßigkeit und Langlebigkeit aus – Schlüsselfaktoren für ertragreiche Epitaxieprozesse.

Für detaillierte technische Spezifikationen, Whitepaper oder Mustertestanordnungen wenden Sie sich bitte an unser technisches Supportteam, um herauszufinden, wie Semixlab die Effizienz Ihres Epitaxieprozesses steigern kann.

Kernvorteile des SiC-beschichteten Wafer-Suszeptors von Semixlab

Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit

Hohe Temperaturstabilität: SiC hat einen Schmelzpunkt von bis zu 2700 °C und kann in einer Prozessumgebung von 1000 °C bis 1600 °C (wie CVD, MOCVD, epitaktisches Wachstum usw.) lange Zeit stabil arbeiten, was deutlich besser ist als Träger aus Edelstahl oder Aluminiumlegierungen. Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, verformt sich bei hohen Temperaturen nicht leicht und behält die Waferpositionierungsgenauigkeit bei.

Wärmeschockbeständigkeit: SiC hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit, kann Wärme schnell und gleichmäßig ableiten und verringert das Risiko von Rissen durch plötzliche Temperaturänderungen (haltbarer als Graphit).

Ausgezeichnete Korrosions- und Verschmutzungsbeständigkeit

Beständig gegen korrosive Gase wie HCl, H2 und NH3 (üblicherweise bei Ätz- und Epitaxieprozessen) und verhindert so die Korrosion des Trägers und die damit verbundene Partikelverunreinigung. Starke Antioxidationseigenschaften, stabiler als Graphit in sauerstoffhaltigen Umgebungen mit hohen Temperaturen (Graphit benötigt eine Schutzschicht, während SiC selbst oxidationsbeständig ist). SiC-Beschichtungen erreichen eine Reinheit von über 99.9999 % (6N) und verhindern so die Verunreinigung des Wafers durch metallische Verunreinigungen (wie Fe, Ni). Sie eignen sich besonders für die Herstellung von Silizium-basierten Halbleitern und Halbleitern mit großer Bandlücke (GaN, SiC).

Hervorragende Wärmeleitfähigkeit und thermische Gleichmäßigkeit

Die schnelle Wärmeleitung sorgt für eine gleichmäßige Erwärmung des Wafers (reduziert ungleichmäßige Dicke während des epitaktischen Wachstums). Geeignet für Prozesse mit schnellem Temperaturanstieg und -abfall (wie z. B. RTP-Schnellglühen) zur Verbesserung der Produktionseffizienz. Der Wärmeausdehnungskoeffizient von SiC liegt nahe an dem von Silizium- (Si) und Siliziumkarbid- (SiC) Wafern, wodurch Gitterdefekte durch thermische Spannungen reduziert werden.

Kompatibilität und Designflexibilität

SiC-Beschichtungen können auf Substraten wie Graphit, Molybdän und Kohlenstofffasern abgeschieden werden, wobei sowohl geringes Gewicht als auch hohe Festigkeit berücksichtigt werden. Durch CVD- oder Sprühverfahren können komplexe Trägerstrukturen (wie poröse Strukturen und eingebettete Heizelemente) hergestellt werden.