Quarz-Schattenring 200 mm
Der Quarz-Schattenring 200 mm (Teilenummer 0200-10445) ist eine präzisionsgefertigte Halbleiterkomponente für 200-mm-Wafer-Plasma-Bearbeitungssysteme. Hergestellt aus hochreinem Quarzglas, wird der Quarz-Schattenring 0200-10445 dank seiner präzisionsgefertigten Geometrie und des Halbleiter-geeigneten Quarzmaterials häufig in 200-mm-Halbleiter-Ätzanlagen eingesetzt, um stabile Prozessbedingungen zu gewährleisten und die Partikelbildung zu reduzieren. Er schützt zudem kritische Kammerkomponenten wie elektrostatische Spannfutter, Sockel und umliegende Hardware und verlängert so die Lebensdauer der Anlage. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
Beschreibung
Der Quarz-Schattenring 200 mm (Teilenummer 0200-10445) ist ein präzisionsgefertigtes Halbleiterbauteil für 200-mm-Wafer-Bearbeitungsanlagen. Er spielt eine entscheidende Rolle beim Schutz der Waferkanten, der Kontrolle der Plasmaverteilung und der Reduzierung von Kammerverunreinigungen während der Plasmaätz- und -abscheidungsprozesse.
Dieser aus hochreinem Quarzglas gefertigte Schattenring bietet eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen Plasmakorrosion, thermische Stabilität und extrem niedrige Kontaminationswerte und ist somit ideal für anspruchsvolle Halbleiterfertigungsumgebungen geeignet.
Bei Semixlab liefern wir hochpräzise Quarzkomponenten, die so konstruiert sind, dass sie die strengen Maßtoleranz- und Reinheitsstandards erfüllen, die für Halbleiterprozessanlagen erforderlich sind.
Produktübersicht
| Artikel | Beschreibung |
| Produktname | Quarz-Schattenring |
| OEM-Teilenummer | 0200 bis 10445 |
| Wafergrößenkompatibilität | 200 mm (8 Zoll) |
| Material | Hochreiner Quarzglas |
| Anwendung | Halbleiterätzen / Plasmabehandlung |
| Ausrüstungsplattform | 200-mm-Ätzsysteme |
| Industrie | Präzisions-CNC-Bearbeitung & Oberflächenbearbeitung in Halbleiterqualität |
Der Quarzschattenring 0200-10445 wird im Inneren der Prozesskammer um den Waferrand herum installiert. Er dient der kontrollierten Abschattung des Waferumfangs und trägt so zur Aufrechterhaltung gleichmäßiger Prozessbedingungen auf der gesamten Waferoberfläche bei.
Dieses Bauteil findet breite Anwendung in Ätzkammern und Plasmabearbeitungssystemen, wo eine präzise Kantenkontrolle unerlässlich ist, um eine hohe Waferausbeute und Prozessgleichmäßigkeit zu erzielen.
Typische Strukturmerkmale
Der Quarz-Schattenring 0200-10445 wurde mit strukturellen Eigenschaften entwickelt, die speziell für die Integration in Halbleiterkammern optimiert sind.
Wafer-angepasster Innendurchmesser: Der Innendurchmesser ist präzise auf die 200 mm Waferkante abgestimmt, um eine genaue Positionierung und gleichmäßige Schatteneffekte zu gewährleisten.
Präzisionsgefertigte Geometrie: Die Komponente wird mit engen Toleranzen gefertigt, um eine korrekte Ausrichtung mit den umgebenden Kammerteilen zu gewährleisten und stabile Prozessbedingungen aufrechtzuerhalten.
Ausrichtungskerben: Viele Konstruktionen beinhalten Ausrichtungskerben oder Positionierungselemente, um die korrekte Einbauausrichtung innerhalb des Geräts sicherzustellen.
Optimierte Dicke: Die Ringdicke wird sorgfältig kontrolliert, um das richtige Gleichgewicht zwischen mechanischer Festigkeit und Plasmaschutzleistung zu gewährleisten.
Glatte Oberfläche: Eine hochwertige, polierte Oberfläche reduziert die Partikelbildung und verbessert die Kompatibilität mit Reinraumumgebungen.
Anwendungen
Rolle in der Halbleiterausrüstung
Der Quarzschattenring spielt eine entscheidende Rolle bei der Aufrechterhaltung stabiler Prozessbedingungen in Plasmakammern.
1. Wafer-Randprozesskontrolle
Beim Plasmaätzen oder -beschichten kann es im Randbereich des Wafers zu einer ungleichmäßigen Plasmaexposition kommen. Der Schattenring sorgt für eine kontrollierte Abschirmung des Waferumfangs und verhindert so übermäßiges Ätzen oder Beschichten am Rand.
Dies trägt zur Verbesserung bei:
● Gleichmäßigkeit der Waferkanten
● Prozesswiederholbarkeit
● Geräteausbeute
2. Schutz der Kammerkomponenten
Der Schattenring schützt außerdem wichtige Komponenten der Kammer, wie zum Beispiel:
● elektrostatischer Spannfutter (ESC)
● Sockel oder Heizgerät
● umgebende Kammeroberflächen
Durch die Verhinderung des direkten Kontakts mit Plasma und dessen Ablagerung wird der Verschleiß reduziert und die Lebensdauer dieser kritischen Bauteile verlängert.
3. Stabilisierung der Plasmaverteilung
Die Ringgeometrie hilft, die Plasmaschicht in der Nähe des Waferrandes zu regulieren, was zu einer gleichmäßigeren Plasmadichte und einer verbesserten Prozesskontrolle über den gesamten Wafer beiträgt.
4. Partikelreduktion
Durch die Kontrolle der Abscheidungsbereiche und die Abschirmung empfindlicher Oberflächen trägt der Schattenring dazu bei, die Partikelbildung im Inneren der Kammer zu reduzieren, was für die Herstellung von Halbleitern mit hoher Ausbeute unerlässlich ist.
Wettbewerbsvorteilen
Material und Hauptvorteile
Der Schattenring wird aus hochreinem Quarzglas (SiO₂) hergestellt, einem Material, das aufgrund seiner hervorragenden chemischen und thermischen Eigenschaften in der Halbleiterfertigung weit verbreitet ist.
Hohe Plasmabeständigkeit:
Quarz weist eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber fluor- und chlorbasierten Plasmaumgebungen auf, die häufig in Halbleiterätzprozessen eingesetzt werden. Dies gewährleistet eine lange Lebensdauer und stabile Leistung.
Extrem geringe Kontamination:
Hochreiner Quarz enthält extrem geringe Mengen an metallischen Verunreinigungen, wodurch das Kontaminationsrisiko in der Prozesskammer minimiert und die Waferqualität erhalten bleibt.
Überlegene thermische Stabilität:
Quarzwerkstoffe bieten eine ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität, wodurch der Schattenring auch bei wiederholten Heiz- und Kühlzyklen in Plasmakammern zuverlässig funktioniert.
Hervorragende chemische Inertheit:
Quarz bleibt in den rauen Umgebungen der Halbleiterverarbeitung chemisch stabil, wodurch Degradation und Partikelbildung reduziert werden.
Präzise Bearbeitbarkeit:
Durch fortschrittliche Bearbeitungs- und Polierverfahren lassen sich bei Quarz enge Maßtoleranzen und glatte Oberflächen erzielen, die für stabile Wafer-Verarbeitungsbedingungen unerlässlich sind.
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