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SiC-beschichteter Wafersuszeptor
Schnelles Detail:
Zweck: Speziell für Halbleiter-CVD (1000 °C – 1400 °C) und PVD-Hochtemperaturprozesse entwickelt, bietet es eine stabile Trägerplattform für Wafer.
Kernparameter: Oberflächenrauheit Ra < 0.5 μm; hohe Härte (> 2500 HV); der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) ist genau angepasst (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), wodurch eine durch thermische Spannung verursachte Verformung oder ein Verrutschen des Wafers vollständig vermieden wird.
Beschreibung
Semixlab bietet Hochleistungs-Wafer-Suszeptoren. Dieses Produkt wird hauptsächlich in CVD-PVD-Halbleiteranlagen eingesetzt, um Wafer zu stützen und Schäden und versehentliches Herunterfallen durch Stickstofffluss zu verhindern.
SiC-beschichtete Siliziumkarbidbasis (SiC-beschichteter Suszeptor) wird aufgrund seiner Eigenschaften wie Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Reinheit und geringere Verschmutzung der Wafer häufig in Halbleitern verwendet.
Anwendung:
Es wurde speziell für CVD- (1000 °C – 1400 °C) und PVD-Hochtemperaturprozesse in der Halbleiterindustrie entwickelt und bietet eine stabile Trägerplattform für Wafer.
Kernfunktionen:
Hervorragende Hochtemperaturstabilität: Hält extremen Temperaturen über 1400 °C stand und gewährleistet eine präzise Waferpositionierung ohne Abweichungen.
Superstarker Schutz: Hält wirksam der Einwirkung eines Stickstoffstroms >10 m/s und versehentlichem Herunterfallen stand und bietet so maximalen Schutz für den Wafer.
Hervorragende Haltbarkeit: Die SiC-Beschichtung bietet eine hohe Härte (> 2500 HV) und Korrosionsbeständigkeit und verlängert so die Lebensdauer.
High-purity surface: Surface roughness Ra < 0.5 μm, reducing the risk of particle contamination.
Siliziumbasis (Silizium-Suszeptor)
Application: Suitable for high-temperature processes of silicon wafers with extremely high requirements for thermal matching (such as epitaxial growth, <1200°C).
Kernfunktionen:
● Perfekte thermische Anpassung: In Übereinstimmung mit dem Wafermaterial (monokristallines Silizium) ist der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) genau angepasst (≈ 2.6 x 10⁻⁶/K), wodurch eine durch thermische Spannung verursachte Verformung oder ein Verrutschen des Wafers vollständig vermieden wird.
● Schnelle Lieferung: Der Lieferzyklus von Standardprodukten ist erheblich verkürzt und beträgt nur 4–6 Wochen (im Vergleich zu 8–12 Wochen für SiC-Basen).
● Hohe Reinheit: Erfüllt die Standards für Siliziummaterialien in Halbleiterqualität.
● Surface quality: Precisely polished, surface roughness Ra < 0.2 μm.
Spezifikationen
| Grundlegende physikalische Eigenschaften der CVD-SiC-Beschichtung | |
| Eigenschaft | Typischer Wert |
| Kristallstruktur | FCC β-Phase polykristallin, hauptsächlich (111) orientiert |
| Signaldichte | 3.21 g / cm³ |
| Härte | 2500 Vickershärte (500 g Belastung) |
| Korngröße | 2 ~ 10μm |
| Chemische Reinheit | 99.99995% |
| Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| Sublimationstemperatur | 2700 ℃ |
| Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| Wärmeleitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 4.5/10-6K-1 |
Anwendungen
Graphitsuszeptor für das Wachstum epitaktischer SiC-Schichten.
Umleitung des Gaseinlasses und Steuerung des thermischen Felds im SiC-Epitaxieofen.
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