Hochreines SiC-Waferboot

In der Halbleiterfertigung stellen Hochtemperaturprozesse extreme Herausforderungen an Waferträger dar. Übersteigt die Temperatur 1600 °C, erweicht und verformt sich der herkömmliche Quarzträger (Wafer-Quarzschiffchen) und setzt Schadstoffe frei, was zu einem sprunghaft ansteigenden Wafer-Ausschuss führt.

Das hochreine SiC-Wafer-Boot mit den inhärenten Materialvorteilen von Siliziumkarbid (SiC) löst dieses Problem der Branche vollständig und wird zu einem unverzichtbaren Werkzeug für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter, insbesondere für die Produktion von SiC-Leistungsbauelementen.

Wichtigste physikalische Eigenschaften und technische Parameter des Produkts:

Die herausragende Leistung des Siliziumkarbid-Waferträgers (SiC-Waferträger) beruht auf seinen einzigartigen Materialeigenschaften. Nachfolgend finden Sie einen detaillierten Vergleich der wichtigsten physikalischen Parameter:

Diese Parameter führen direkt zu einer verbesserten Ausbeute und geringeren Kosten bei der Halbleiterherstellung, wie im Folgenden gezeigt:

Thermischer Leistungsvorteil: Die große Bandlücke von SiC (3.26 eV) gewährleistet eine stabile Kristallstruktur bei 2000 °C und verhindert thermische Verformungen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit (4.9 W/cm·K) ermöglicht eine gleichmäßigere Erwärmung des Wafers und verhindert durch thermische Spannungen verursachte Gitterdefekte.

Mechanische Festigkeit: Die Mohshärte von 9.2 widersteht physikalischen Einflüssen während des Prozesses, und die Lebensdauer ist mehr als zehnmal so hoch wie bei herkömmlichen Quarzträgern. Das einzigartige halbkreisförmige Schlitzdesign hält die Wafer-Kontaktspannung unter 10 MPa und verhindert so praktisch das Rutschphänomen bei hohen Temperaturen.

Chemische Inertheit: Die Toleranz gegenüber hochkorrosiven Gasen wie HF und HCl beträgt mehr als 10,000 Stunden und bei LPCVD, Diffusion, Oxidation und anderen Prozessen wird eine Null-Verschmutzung gewährleistet.

Die Schlüsselrolle des hochreinen SiC-Waferboots

Unser hochreines SiC-Waferboot wird häufig in den folgenden wichtigen Halbleiterherstellungsprozessen verwendet:

Hochtemperaturglühen: In der Produktionslinie der SiC-Wafer-Hersteller ist das Hochtemperaturglühen ein wichtiger Schritt zur Aktivierung von Dotierstoffen und zur Reparatur von Gitterdefekten. Die Hochtemperaturstabilität des SiC-Waferboots gewährleistet die Gleichmäßigkeit und Effektivität des Glühprozesses.

Epitaktisches Wachstum: Unabhängig davon, ob es sich um eine Epitaxie auf Siliziumbasis oder eine Siliziumkarbid-Wafer-Epitaxie handelt, machen die hohe Temperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit des SiC-Waferboots es zu einem idealen Träger, um ein qualitativ hochwertiges Wachstum epitaktischer Schichten sicherzustellen.

Diffusion: Im Hochtemperatur-Diffusionsofen kann das SiC-Waferboot im LPCVD-Waferboot einer langfristigen Hochtemperaturbehandlung standhalten, um eine gleichmäßige Diffusion der Dotierungsatome zu gewährleisten und präzise elektrische Eigenschaften zu bilden.

Dünnschichtabscheidung: Insbesondere bei LPCVD-Waferboot-Anwendungen tragen die extrem geringe Partikelabgabe und die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC-Waferbooten dazu bei, qualitativ hochwertige und hochgleichmäßige Filme zu erzielen.

Kompatible Geräte und Prozesskompatibilität:

✔ Kompatibel mit gängigen LPCVD-Öfen (wie TEL, Kokusai, ASM, SVG, Tystar usw.)

✔ Anpassbare Waferspezifikationen wie 100 mm/150 mm/200 mm

✔ Unterstützt die horizontale und vertikale Installation von Prozessgeräten

Das SiC-Waferboot von Semixlab ist die ideale Wahl zur Verbesserung Ihrer Prozesseffizienz und Produktausbeute und ist führend bei fortschrittlichen Halbleiter-Waferboot-Lösungen.

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