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Poröse Keramik Vakuumspannfutter
Schnelles Detail:
1. Andere Namen: Poröses Keramik-Vakuumfutter, poröses SiC-Futter, poröses Futter.
2. Anwendung: Hochleistungs-Vakuumadsorptionsgerät zur präzisen Adsorption und Fixierung von Wafern und Ingots, geeignet für die Halbleiterherstellung, Waferschneiden, Präzisionsbearbeitung, Hochtemperaturepitaxie, Ätzen, Ionenimplantation und andere Szenarien.
3. Kernparameter:
Porosität einstellbar (10–200µm).
Ultrahohe Temperatur (≤1600°C), ausgezeichnete Thermoschockbeständigkeit.
Adsorptionsvakuum: Standard -90 kPa (kann auf 100 kPa angepasst werden).
Saugnapfgröße: Unterstützt 4/6/8/12-Zoll-Wafer, Ingot-Größe kann angepasst werden.
Beschreibung
Der Keramik-Vakuum-Chuck ist ein Hochleistungs-Vakuum-Adsorptionsgerät für die präzise Adsorption und Fixierung von Wafern und Ingots. Er verfügt über eine Verbundstruktur aus poröser Keramik und einem metallischen Außenring, kombiniert mit einem maßgeschneiderten Design von Luftkanälen und Poren, um eine gleichmäßige Adsorptionskraftverteilung und hohe Stabilität zu erreichen. Geeignet für die Halbleiterfertigung, das Waferschneiden, die Präzisionsbearbeitung und andere Anwendungen, unterstützt hohe Temperaturen und hohe Bewegungsgeschwindigkeiten und erfüllt die Kompatibilitätsanforderungen verschiedener Wafer-/Ingot-Größen.
Kundenspezifischer Service
Größen- und Lastanpassung
Stomata- und Atemwegsoptimierung
Spezielle Umgebungsanpassung
Designbeispiel
Anwendungen
Halbleiterherstellung
Epitaktisches Wachstum: Stabile Adsorption von SiC-Wafern bei hohen Temperaturen, um Verformungen und Verunreinigungen zu vermeiden.
Lithografie und Ätzen: Präzise Positionierung auf der Hochgeschwindigkeits-Bewegungsplattform (Beschleunigung ≤ 10 G), um die Genauigkeit der grafischen Ausrichtung sicherzustellen.
Barrenverarbeitung
Schneiden und Schleifen: Adsorption schwerer Kristallblöcke (z. B. Saphir, Siliziumkarbidblöcke), um durch Vibration verursachte Kantenrisse zu unterdrücken.
Wissenschaftliche Forschung und Spezialtechnologie
Hochtemperaturglühen: Saugnäpfe aus porösem Siliziumkarbid funktionieren lange Zeit bei 1600 °C, ohne Verformung und Entlüftungsverschmutzung.
Vakuumbeschichtung: Design mit hoher Luftdichtheit, kompatibel mit PVD/CVD-Hohlraumumgebung.
Wettbewerbsvorteilen
Kernaufbau und Materialvorteile
1. Mehrschichtiges Verbunddesign
Oberflächenschicht: Poröse Keramik (optional poröses Siliziumkarbid oder poröser Graphit), Öffnung einstellbar (10–200 μm), um eine gleichmäßige Übertragung der Adsorptionskraft auf die Waferoberfläche zu gewährleisten und lokale Spannungskonzentrationen zu vermeiden.
Matrix: Hochsteifer Metallrahmen (Edelstahl oder Aluminiumlegierung) für strukturelle Unterstützung und Luftdichtheit.
Atemwege und Poren: Das interne Netzwerk aus präzise bearbeiteten Atemwegen und gleichmäßig verteilten Mikroporen unterstützt eine schnelle Vakuumextraktion (Adsorptionskraft bis zu -90 kPa) und sofortige Freisetzung.
2. Vergleich der Materialeigenschaften
| Material | Poröses Siliziumkarbid | Poröser Graphit |
| Temperaturbeständigkeit | Ultrahohe Temperatur (≤1600°C), ausgezeichnete Thermoschockbeständigkeit | Mittelhohe Temperatur (≤800°C), bessere Wärmeleitfähigkeit |
| Chemische Beständigkeit | Säure- und Alkalikorrosionsbeständigkeit, Plasmakorrosionsbeständigkeit | Beständig gegen nichtoxidierende Gase, geringere Kosten |
| Anwendbare Szene | Hochtemperaturepitaxie, Ätzen, Ionenimplantation | Waferschneiden, Schleifen, Verpacken |
3. Wichtige Leistungs- und technische Parameter
| Beschreibung | Anmerkung |
| Futtergröße | Unterstützt 4/6/8/12 Zoll Wafer, Ingotgröße kann individuell angepasst werden |
| Laden | Maximale Belastung einer einzelnen Platte: 50 kg (Höhe ≤ 300 mm) |
| Betriebstemperatur | Poröses Siliziumkarbid: -50 °C bis 1600 °C; Poröser Graphit: -50 °C bis 800 °C |
| Adsorptionsvakuum | Standardmäßig -90 kPa (anpassbar auf -100 kPa) |
FAQ
F: Wie wählt man poröse Siliziumkarbid- und poröse Graphit-Chucks aus? Was sind die Hauptunterschiede zwischen porösen Siliziumkarbid- und porösen Graphit-Chucks bei Hochtemperaturprozessen? Wie wählt man das richtige Material für das jeweilige Anwendungsszenario aus?
A: Poröses Siliziumkarbid-Spannfutter:
Temperaturbeständigkeit: Kann bei extrem hohen Temperaturen ≤ 1600 °C stabil arbeiten (z. B. SiC-Epitaxie, Hochtemperaturglühen), ausgezeichnete Wärmeschockbeständigkeit, geeignet für den Einsatz in Umgebungen mit drastischen Temperaturschwankungen.
Korrosionsbeständigkeit: widersteht starker Säure-, Alkali- und Plasmaerosion, geeignet zum Ätzen, zur Ionenimplantation und anderen korrosiven Gasprozessen.
Poröser Graphit-Chuck:
Wärmeleitfähigkeit: Höhere Wärmeleitfähigkeit (200–400 W/m·K), geeignet für Szenarien, die eine schnelle Wärmeübertragung erfordern (z. B. Wärmeableitung beim Waferschneiden).
Wirtschaftlichkeit: Niedrige Kosten, geeignet für Umgebungen mit mittleren Temperaturen ≤ 800 °C (z. B. Verpacken, Schleifen).
Auswahlvorschläge:
Wenn die Prozesstemperatur über 800 °C liegt oder Korrosionsbeständigkeit erforderlich ist, wird poröses Siliziumkarbid bevorzugt. Wenn Kosteneffizienz und niedrige Prozesstemperaturen angestrebt werden, kann poröser Graphit gewählt werden.
