Angewandte Materialien AMAT Quarzring

Semixlab bietet hochpräzise Quarzringe an. Dieses Produkt dient hauptsächlich der stabilen Abscheidung hochwertiger Filme im PECVD-Prozess und maximiert gleichzeitig die Produktionseffizienz der Anlage und die Waferausbeute. Die Plasmaverteilung wird durch geometrische Genauigkeit (±0.1 mm) begrenzt, das Reaktionsgasströmungsfeld optimiert und die Gleichmäßigkeit des Films auf σ≤1.5 % verbessert. Die Nebenprodukte des Adsorptionsprozesses haben die Wafer-Defektrate um 30 % reduziert.

Schnelles Detail:

Spitznamen: Quarzring, Si-Waferträger, Quarzring-Kit, Quarzring-Kit, Ring der oberen Kammer, PECVD-Abscheidungsring, Gasverteilungsring

Zweck: Sorgen Sie für die stabile Abscheidung hochwertiger Filme im PECVD-Prozess und maximieren Sie gleichzeitig die Produktionseffizienz der Ausrüstung und die Waferausbeute.

Kernparameter: Es wird insbesondere für SiN-Abscheidungsprozesse (Siliziumnitrid) empfohlen. Hochreiner Quarz kann verwendet werden, und spezielle Beschichtungsdienstleistungen werden angeboten. Es ist temperaturbeständig (300 bis 400 °C+), plasmaerosionsbeständig und weist eine Quarzreinheit von ≥99.99 %, einen Metallverunreinigungsgehalt von weniger als 5 ppm, einen Blasen-/Einschlussdurchmesser von ≤0.1 mm und eine Anzahl von ≤3 pro Kubikzentimeter auf.

Hauptfunktionen und Rollen:

●Hauptkomponenten der Kammer: Sie befinden sich innerhalb der PECVD-Prozesskammer und bilden eine wichtige Grenze des Reaktionsbereichs.

●Hochtemperatur- und Plasmabeständigkeit: Es besteht aus hochreinem Quarz und zeichnet sich durch eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit (die PECVD-Prozesstemperatur liegt typischerweise im Bereich von 300 °C bis 400 °C+) und Beständigkeit gegen Plasmaerosion aus.

●Elektrische Trennung/Isolierung: Es spielt eine entscheidende Rolle bei der elektrischen Isolierung innerhalb der Kammer und gewährleistet die stabile Plasmaerzeugung und Prozessgleichmäßigkeit.

●Prozessgasabdichtung:Helfen Sie dabei, die Abdichtung der Prozessgasumgebung innerhalb der Kammer aufrechtzuerhalten.

●Die Definition der Wafer-Prozessumgebung: Seine Geometrie und Oberflächenbeschaffenheit wirken sich direkt auf die Verteilung des Gasstroms und des Plasmas über dem Wafer aus, was für die Gleichmäßigkeit und Qualität der Dünnschichtabscheidung entscheidend ist.

●Oberflächenbeschichtung: Einige Quarzringe, die in bestimmten Prozessen verwendet werden (wie etwa SiN), können mit speziellen Beschichtungen (wie etwa Yttriumoxid Yttria) überzogen werden, um die Ablagerung von Nebenprodukten weiter zu reduzieren oder die Leistung und Lebensdauer bei bestimmten Prozessen zu verbessern.

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