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SiC-beschichteter Graphitheizer für MOCVD
Der Semixlab SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Heizer ist ein beheizter Hochleistungsträger für Halbleiterherstellungsprozesse, der durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) eine gleichmäßige, dichte Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC) auf der Oberfläche eines Graphitsubstrats mit ultrahoher Reinheit bildet.
Beschreibung
Produkt-Details
Der SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Heizer kombiniert die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von Graphit mit der hohen Temperatur- und Korrosionsbeständigkeit von SiC-Beschichtungen und wird häufig in Geräten zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) verwendet, um Stabilität und hohe Reinheit bei Wafer-Epitaxie-Wachstumsprozessen zu gewährleisten.
Produktmerkmale des SiC-beschichteten Graphit-MOCVD-Heizgeräts
1. Ultrahohe Reinheit und chemische Stabilität
Reinheit ≥99.99995 %: Unser Graphitheizer wird durch Hochtemperaturchlorierung im CVD-Verfahren hergestellt, wodurch eine Kontamination mit Metallverunreinigungen wirksam vermieden und die Nachfrage nach ultrareinen Umgebungen bei der Halbleiterherstellung erfüllt wird.
Schutz vor chemischer Korrosion: Die dichte und hohe Härte der SiC-Beschichtung (Vickershärte 2500–2800) kann der Erosion durch Säuren, Basen, Salze und organische Lösungsmittel widerstehen, was die Lebensdauer der Geräte in der korrosiven Gasumgebung verlängert.
2. Ausgezeichnete Hochtemperaturbeständigkeit
Hohe Temperaturstabilität: Es hält bis zu 3000 °C in inerter Atmosphäre stand, gewährleistet einen stabilen Betrieb bis zu 2200 °C in einer Vakuumumgebung und 1600–1700 °C in einer oxidierenden Umgebung, was für die extremen Bedingungen einer MOCVD-Reaktionskammer geeignet ist.
Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient (4.5 x 10-⁶K-¹): Diese Funktion des MOCVD-Graphitheizers verringert wirksam die Rissbildung oder Ablösung der Beschichtung aufgrund von Temperaturschwankungen und gewährleistet so die strukturelle Integrität bei langfristigen Temperaturwechseln.
3. Optimierte Wärmemanagementleistung
Hohe Wärmeleitfähigkeit (200–300 W/mK): Die hohe Wärmeleitfähigkeit des Graphit-MOCVD-Heizgeräts sorgt dafür, dass das Produkt Wärme schnell und gleichmäßig übertragen kann, um eine konsistente Temperaturverteilung auf der Waferoberfläche (±1 °C) zu erreichen und so die Gleichmäßigkeit der epitaktischen Schicht effektiv zu verbessern.
Design eines laminaren Gasströmungsfelds: Nach kontinuierlicher Iteration und Verbesserung der Technologie gewährleisten die Oberflächenglätte (Ra ≤ 0.8 μm) und Geometrieoptimierung unseres MOCVD-Heizgeräts eine gleichmäßige Verteilung der reaktiven Gase und verringern durch Turbulenzen verursachte Ungleichmäßigkeiten bei der Abscheidung.
Spezifikationen
Vergleich der technischen Parameter und Vorteile
| Eigenschaften | Semixlab SiC-beschichtete Heizgeräte | Herkömmliche Graphitheizungen |
| Maximale Betriebstemperatur (inert) | 3000°C | 2500°C |
| Chemische Reinheit | ≥ 99.99995% | ≤ 99.99 |
| Wärmeleitfähigkeit | 300 W / mK | 120-150 W/mK |
| Beschichtungshaftung | 415 MPa (4-Punkt-Biegung) | 100-200 MPa |
| Typische Lebensdauer (Zyklen) | > 500 Zyklen | 100-200 Zyklen |
Wettbewerbsvorteilen
Warum Semixlab?
Anpassung: Semixlab bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Produkte und technische Dienstleistungen. Wir unterstützen die Anpassung von Sondergrößen (bis zu 360 mm Durchmesser) und Beschichtungsdicken (20–500 μm), um den unterschiedlichsten Geräteanforderungen gerecht zu werden.
Globale Zertifizierung: Unser SiC-beschichteter Graphitheizer ist SEMI-konform, ISO 9001-zertifiziert und unsere Produkte werden hauptsächlich nach Europa und in die USA sowie nach Japan und Südkorea exportiert und bieten einen erheblichen Preis-Leistungs-Vorteil.
Technische Synergie: Semixlab pflegt seit langem eine enge Zusammenarbeit mit führenden Forschungseinrichtungen in China und nutzt patentierte Beschichtungstechnologien (wie das SiC³-Verfahren von CGT Carbon), um die Beschichtungsdichte und die Temperaturwechselbeständigkeit zu optimieren.
