Hersteller von CVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren für MOCVD und Epitaxie
Semixlab bietet CVD-SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren für die Hochtemperatur-Halbleiterfertigung an – MOCVD, Epitaxie und Waferbearbeitung gehören zu ihren Anwendungsbereichen. Jeder Suszeptor besteht aus einem hochreinen Graphitkern, auf den anschließend mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) eine gleichmäßige Siliziumkarbidschicht aufgebracht wird. Der Graphit sorgt für ein gutes thermisches Verhalten, während das SiC chemische Inertheit und Oberflächenhärte gewährleistet.
Beschreibung
Produktübersicht
Beim epitaxialen Wachstum hat der Suszeptor direkten Einfluss darauf, wie gleichmäßig sich die Wafer erwärmen und wie konstant die Wachstumsbedingungen während eines gesamten Produktionsprozesses bleiben. Die CVD-SiC-beschichteten Suszeptoren von Semixlab bestehen aus dichtem Graphit und werden mit unserem SiC-Verfahren beschichtet. Was sind die Vorteile?
● Gute Wärmeleitfähigkeit
● Gleichmäßige Temperaturprofile über den gesamten Wafer
● Hohe Beständigkeit gegenüber Prozesschemikalien
● Geringe Partikelabgabe
● Verlängerte Lebensdauer von Bauteilen in heißen Bereichen
Die CVD-Beschichtung bildet eine dichte SiC-Haut, die das Graphit vor aggressiven Gasen schützt und die Gesamtrobustheit des Bauteils erhöht.
Hauptfunktionen
Hochreines Graphitsubstrat
Wir verwenden Graphitsorten, die Ihnen Folgendes bieten:
● Niedrige Verunreinigungszahlen
● Vorhersagbares mechanisches Verhalten
● Ausreichende Wärmeleitung
● Gute Temperaturwechselbeständigkeit
Dieses Graphitmaterial hält schnellen Aufheiz- und Abkühlzyklen gut stand.
Gleichmäßige CVD-SiC-Beschichtung
Die SiC-Schicht bietet Folgendes:
● Hohe Oberflächenhärte
● Guter Oxidationsschutz
● Verbesserte Korrosionsbeständigkeit
● Geringeres Kontaminationsrisiko
Die Schichtdicke und die Oberflächenbeschaffenheit können an Ihren jeweiligen Prozess angepasst werden.
Ausgezeichnete thermische Gleichmäßigkeit
Für die Epitaxie ist ein stabiles Temperaturfeld unerlässlich. Die Kombination der Wärmeleitfähigkeit von Graphit und der Oberflächeneigenschaften von SiC trägt dazu bei, Folgendes zu erreichen:
● Gleichmäßige Wafertemperaturen
● Stabilere Verarbeitung
● Bessere Wiederholbarkeit von Lauf zu Lauf
Hohe Temperaturstabilität
Diese Suszeptoren sind für den Einsatz unter anspruchsvollen Bedingungen in der Halbleiterindustrie ausgelegt:
● Hohe Betriebstemperaturen
● Häufige Temperaturwechsel
● Anhaltende Prozessstabilität über lange Zeiträume
Warum Semixlab wählen?
Fortschrittliche CVD-Beschichtungstechnologie
Wir verfügen über praktische Erfahrung mit kohlenstoffbasierten Materialien und CVD-Beschichtung und können SiC-beschichtete Graphitkomponenten an Ihre spezifische Halbleiteranwendung anpassen.
Kundenspezifische Fertigungsmöglichkeiten
Wir verarbeiten:
● Prototypen
● Kleinserien
● Serienproduktion
● Individuelle Größen und Designs
Qualitätskontrolle
Jedes Teil wird auf Folgendes geprüft:
● Maßgenauigkeit
● Oberflächenbeschaffenheit
● Gleichmäßigkeit der Beschichtung
● Prozesszuverlässigkeit
Spezifikationen
| Artikel | Normen |
| Produkt | CVD-SiC-beschichteter Graphitsuszeptor |
| Grundwerkstoffe | Hochreiner Graphit |
| Beschichtungsmaterial | CVD-Siliciumcarbid (SiC) |
| SiC-Reinheit | ≥99.999 % (typisch) |
| Umgebungstemperaturbereich | Bis zu 1600°C (prozessabhängig) |
| Beschichtungsdicke | Individuell gestaltbar |
| Oberflächenfinish | Angepasst an die jeweilige Anwendung |
| Durchmesser | Maßgeschneiderte |
| Anwendung | MOCVD, Epitaxie, Halbleiterverarbeitung |
Anwendungen
| Stromquelle | Typische Prozesse | Wafermaterialien |
| MOCVD-Reaktoren | GaN-LED-Epitaxie, Wachstum von Verbindungshalbleitern, Dünnschichtabscheidung | GaN, InGaN, AlGaN |
| Epitaxiesysteme | SiC-Epitaxie, III-V-Halbleiterepitaxie | SiC, GaAs, InP |
| Wafer-Bearbeitungswerkzeuge | Hochtemperaturunterstützung, F&E-Testläufe | Silizium, SiC, GaN |
Unsere Dienstleistungen

Semixlab Produktshop


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