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CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung

CVD-Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung

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Hersteller von CVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren für MOCVD-Epitaxie
Hersteller von CVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren für MOCVD-Epitaxie

Hersteller von CVD-SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren für MOCVD und Epitaxie


Semixlab bietet CVD-SiC-beschichtete Graphitsuszeptoren für die Hochtemperatur-Halbleiterfertigung an – MOCVD, Epitaxie und Waferbearbeitung gehören zu ihren Anwendungsbereichen. Jeder Suszeptor besteht aus einem hochreinen Graphitkern, auf den anschließend mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) eine gleichmäßige Siliziumkarbidschicht aufgebracht wird. Der Graphit sorgt für ein gutes thermisches Verhalten, während das SiC chemische Inertheit und Oberflächenhärte gewährleistet.

Beschreibung

Produktübersicht

Beim epitaxialen Wachstum hat der Suszeptor direkten Einfluss darauf, wie gleichmäßig sich die Wafer erwärmen und wie konstant die Wachstumsbedingungen während eines gesamten Produktionsprozesses bleiben. Die CVD-SiC-beschichteten Suszeptoren von Semixlab bestehen aus dichtem Graphit und werden mit unserem SiC-Verfahren beschichtet. Was sind die Vorteile?

● Gute Wärmeleitfähigkeit

● Gleichmäßige Temperaturprofile über den gesamten Wafer

● Hohe Beständigkeit gegenüber Prozesschemikalien

● Geringe Partikelabgabe

● Verlängerte Lebensdauer von Bauteilen in heißen Bereichen

Die CVD-Beschichtung bildet eine dichte SiC-Haut, die das Graphit vor aggressiven Gasen schützt und die Gesamtrobustheit des Bauteils erhöht.


Hauptfunktionen

Hochreines Graphitsubstrat

Wir verwenden Graphitsorten, die Ihnen Folgendes bieten:

● Niedrige Verunreinigungszahlen

● Vorhersagbares mechanisches Verhalten

● Ausreichende Wärmeleitung

● Gute Temperaturwechselbeständigkeit

Dieses Graphitmaterial hält schnellen Aufheiz- und Abkühlzyklen gut stand.

Gleichmäßige CVD-SiC-Beschichtung

Die SiC-Schicht bietet Folgendes:

● Hohe Oberflächenhärte

● Guter Oxidationsschutz

● Verbesserte Korrosionsbeständigkeit

● Geringeres Kontaminationsrisiko

Die Schichtdicke und die Oberflächenbeschaffenheit können an Ihren jeweiligen Prozess angepasst werden.

Ausgezeichnete thermische Gleichmäßigkeit

Für die Epitaxie ist ein stabiles Temperaturfeld unerlässlich. Die Kombination der Wärmeleitfähigkeit von Graphit und der Oberflächeneigenschaften von SiC trägt dazu bei, Folgendes zu erreichen:

● Gleichmäßige Wafertemperaturen

● Stabilere Verarbeitung

● Bessere Wiederholbarkeit von Lauf zu Lauf

Hohe Temperaturstabilität

Diese Suszeptoren sind für den Einsatz unter anspruchsvollen Bedingungen in der Halbleiterindustrie ausgelegt:

● Hohe Betriebstemperaturen

● Häufige Temperaturwechsel

● Anhaltende Prozessstabilität über lange Zeiträume


Warum Semixlab wählen?

Fortschrittliche CVD-Beschichtungstechnologie

Wir verfügen über praktische Erfahrung mit kohlenstoffbasierten Materialien und CVD-Beschichtung und können SiC-beschichtete Graphitkomponenten an Ihre spezifische Halbleiteranwendung anpassen.

Kundenspezifische Fertigungsmöglichkeiten

Wir verarbeiten:

● Prototypen

● Kleinserien

● Serienproduktion

● Individuelle Größen und Designs

Qualitätskontrolle

Jedes Teil wird auf Folgendes geprüft:

● Maßgenauigkeit

● Oberflächenbeschaffenheit

● Gleichmäßigkeit der Beschichtung

● Prozesszuverlässigkeit

Spezifikationen
Artikel Normen
Produkt CVD-SiC-beschichteter Graphitsuszeptor
Grundwerkstoffe Hochreiner Graphit
Beschichtungsmaterial CVD-Siliciumcarbid (SiC)
SiC-Reinheit ≥99.999 % (typisch)
Umgebungstemperaturbereich Bis zu 1600°C (prozessabhängig)
Beschichtungsdicke Individuell gestaltbar
Oberflächenfinish Angepasst an die jeweilige Anwendung
Durchmesser Maßgeschneiderte
Anwendung MOCVD, Epitaxie, Halbleiterverarbeitung
Anwendungen
Stromquelle Typische Prozesse Wafermaterialien
MOCVD-Reaktoren GaN-LED-Epitaxie, Wachstum von Verbindungshalbleitern, Dünnschichtabscheidung GaN, InGaN, AlGaN
Epitaxiesysteme SiC-Epitaxie, III-V-Halbleiterepitaxie SiC, GaAs, InP
Wafer-Bearbeitungswerkzeuge Hochtemperaturunterstützung, F&E-Testläufe Silizium, SiC, GaN
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