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CVD-SiC-Waferhalter
Die SiC-Waferhalter von Semixlab bestehen aus hochdichtem isostatischem Graphit und sind mit einer hochreinen CVD-Siliziumkarbidschicht beschichtet. Sie sind speziell für die anspruchsvollen Bedingungen in MOCVD- und Epitaxie-Reaktoren entwickelt. Das Ergebnis: eine gute thermische Gleichmäßigkeit über den gesamten Wafer und eine sehr geringe metallische Verunreinigung – was sich direkt positiv auf die Ausbeute und die Leistungsfähigkeit der Bauelemente auswirkt.
Beschreibung
Bei der Epitaxie von Verbindungshalbleitern – wie GaN auf Silizium, GaN auf Saphir oder der Herstellung von MicroLEDs – ist der Waferhalter (manchmal auch SiC-beschichteter Suszeptor genannt) ein entscheidendes Bauteil. Er befindet sich zwischen Heizelement und Wafer und steuert den Großteil des Wärmetransports.
Warum entscheiden sich Ingenieure für SiC-Waferhalter von Semixlab?
● 7-Nines Reinheit (Gesamtmetalle < 5 ppm) – Wir verwenden ein firmeneigenes CVD-Verfahren (entwickelt von Prof. Shaolong He), das Spurenmetalle wie Fe, Cu und Ni auf einem sehr niedrigen Niveau hält. Dies bedeutet weniger Gitterdefekte während des empfindlichen GaN-Wachstums.
● Gute thermische Gleichmäßigkeit (±1 %) – Der CVD-SiC-Film weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit (~300 W/m·K) auf. Die Wärme verteilt sich schnell und gleichmäßig, wodurch die Verformung des Wafers und thermische Spannungen reduziert werden.
● Hohe Beständigkeit gegen H₂- und NH₃-Korrosion – Im Gegensatz zu blankem Graphit oder Quarz bleibt unsere dichte SiC-Beschichtung auch bei hohen Temperaturen (900–1200 °C) inert. Dadurch wird der Partikelabrieb reduziert und die Lebensdauer des Bauteils um das 3- bis 5-Fache verlängert.
● CTE-Anpassung – Eine spezielle Übergangsschicht mit Gradienten sorgt für eine optimale Anpassung des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Beschichtung und Graphit. Dadurch werden Delaminationen und Risse verhindert, selbst bei schnellen Temperaturanstiegen und -absenkungen.
Spezifikationen
| Parameter | Typischer Wert | Warum es wichtig ist |
| Beschichtungsmaterial | 99.99999 % CVD-SiC | Keine Ionenleckage oder Schwermetallverunreinigung |
| Substrat | Hochdichtes isostatisches Graphit | Behält seine Festigkeit bei 1600 °C. |
| Wärmeleitfähigkeit | ~300 W/m·K (bei Raumtemperatur) | Gleichmäßige EPI-Schichtdicke |
| Beschichtungshärte | ~2500 HV (Vickers) | Widersteht Verschleiß durch automatisches Be- und Entladen |
| Oberflächenrauheit | Ra < 0.2 μm | Geringere Anhaftung von Polymeren und Nebenprodukten |
| Kompatibilität | Anpassung | Präzision, abgestimmt auf Ihre individuellen Anpassungsanforderungen |
Anwendungen
Wichtigste Anwendungsszenarien
● GaN-auf-Si / GaN-auf-Saphir-Epitaxie – Wichtig für Leistungshalbleiter und HF-Chips, da die lokale thermische Stabilität die elektrische Beweglichkeit der GaN-Schicht direkt beeinflusst.
● MicroLED und fortschrittliche Displays – Erfordert höchste Reinheit und sehr wenige Partikel, was unser Halter für hochdichte LED-Arrays gewährleistet.
● SiC-Kristallwachstum (PVT) – Dient als Hochleistungsträger für SiC-Ausgangsmaterial und kann Wachstumsraten von bis zu ~1.46 mm/h unterstützen.
● Schnelle thermische Verarbeitung (RTP) – Der Halter kann extreme Temperaturschocks während schneller Glühzyklen ohne Mikrorisse überstehen.
Wettbewerbsvorteilen
Vorteile von Semixlab
Wir sind mehr als nur ein Lieferant – wir möchten Ihr verlässlicher Partner für Ihre Anforderungen im Bereich der thermischen Feldtechnik sein. Semixlab wurde von Forschern der Chinesischen Akademie der Wissenschaften gegründet und betreibt über 12 spezialisierte CVD-Produktionslinien. Dank unserer hauseigenen 5-Achs-CNC-Bearbeitung können wir Waferhalter mit Toleranzen von bis zu ±0.01 mm fertigen. Diese lassen sich ohne zusätzliche Anpassungen direkt in Ihre globalen Anlagen integrieren.
Unsere Dienstleistungen
Semixlab Produktshop
