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Was ist pyrolytischer Graphit?
2025-11-28
Semixlab Global News – Wir freuen uns, Ihnen eine wichtige Neuigkeit aus unserer Fertigung mitteilen zu können. Am 27. November 2025 wurde das Rohbauwerk unseres Kernproduktions- und Forschungsstandorts – Zhejiang Liufang Semiconductor Technology – offiziell fertiggestellt. Dies markiert einen entscheidenden Kapazitätsdurchbruch für Semixlab als weltweit führenden Anbieter fortschrittlicher Halbleitermaterialien.
Das Projektteam hat das unter Branchenkennern so genannte „Liufang-Beschleunigungsprinzip“ demonstriert und das Projekt nahtlos von der Strukturphase zur Inbetriebnahme der finalen Anlagen überführt. Die Anlage ist speziell auf die Unterbringung von CVD-Hochtemperaturöfen der nächsten Generation, Ultrahochvakuum-Reinigungsöfen und einer umfassenden Ausstattung mit Präzisions-CNC-Bearbeitungszentren ausgelegt.
Tiefenlayout kritischer Pan-Halbleiter-Materialien
Mit dieser neuen Infrastruktur baut Semixlab seine Fertigungskapazitäten entlang der gesamten Wertschöpfungskette aus – von der Rohstoffbeschaffung (hochwertiger importierter isostatischer Graphit) über die Präzisionsbearbeitung und Ultrareinigung (Erreichen eines Aschegehalts von < 5 ppm durch GDMS-Tests) bis hin zur Hochleistungs-CVD-Beschichtung.
Der neue Standort wird die Produktionskapazität für die folgenden strategischen Halbleiterproduktlinien deutlich erweitern:
| Produktkategorie | Technische Kernspezifikationen und Fähigkeiten | Primäre Halbleiteranwendungen |
| CVD-SiC-beschichtete Produkte |
• Reinheit: >99.99995 % • Struktur: 100 % kubisch-flächenzentrierte β-Phase, (111)-orientiert • Kontrolle der Dickengleichmäßigkeit: Innerhalb von 10 μm |
• Siliziumepitaxie • LED/GaN MOCVD-Epitaxie • SiC-Epitaxie-Halbmondteile |
| TaC Beschichtungsprodukte |
• Temperaturbeständigkeit: Bis zu 2600 °C • Hohe Beständigkeit gegenüber aggressiven Gasen (H2, NH3, SiH4) • Extrem hohe Haftkraft der Beschichtung |
• Kristallwachstum von Halbleitern der dritten Generation (SiC/GaN) • Hochtemperatur-Induktionserwärmungsfelder |
| Pyrolytische Kohlenstoffbeschichtung (PyC) |
• Dichte und porenfreie Oberflächenversiegelung • Gesamtgehalt an Verunreinigungen < 20 ppm • Hohe Vakuumdichtigkeit bis 1800 °C |
• Modifikation der Graphitheizung • CZ/PV monokristalline Einkristall-Wachstumsteile |
| Hochreine Keramiken und Verbundwerkstoffe |
• Reinheit des rekristallisierten SiC (R-SiC) >99.96 % • Kohlenstoff-Kohlenstoff (C/C)-Verbundwerkstoffe mit einem Aschegehalt von ≤ 20-65 ppm |
• Rohre und Auslegerrührwerke für Diffusions-, Oxidations- und Glühöfen • Hochbelastbare RTP/EPI-Ringe |
Erweiterte Fertigungskapazitäten und fortschrittliche CVD-Anlagen von Semixlab
Bekenntnis zu globalen Qualitätsstandards
Semixlab-Laborprüfgeräte
Unterstützt von einem erstklassigen Technologie-Team, dessen Mitglieder aus renommierten Institutionen wie der Zhejiang-Universität und der Chinesischen Akademie der Wissenschaften stammen, arbeitet das Fertigungsökosystem von Semixlab streng nach den Zertifizierungen ISO 9001, ISO 14001 und ISO 45001.
Wie He Shaolong, CEO und Professor, während der Zeremonie erklärte, ist diese neue Anlage eine entscheidende Antwort auf die globale Nachfrage der Halbleiterindustrie nach stabilen, hochreinen und leistungsstarken Materialkomponenten. Der beschleunigte Aufbau dieses Standorts stellt sicher, dass Semixlab Ihr agilster, zuverlässigster und technologisch fortschrittlichster Partner in der gesamten Halbleiter-Lieferkette bleibt.
Für kundenspezifische Mapping-Anforderungen, technische Datenblätter zu GDMS oder Testkits für Komponenten wenden Sie sich bitte direkt an unsere internationale Vertriebsabteilung bei Semixlab.
