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SiC-Keramik
Hochreine CVD-SiC-Quellblöcke und -stücke
Hochreine CVD-SiC-Quellblöcke und -stücke

Hochreine CVD-SiC-Quellblöcke und -stücke


Die hochreinen CVD-SiC-Quellblöcke und -stücke von Semixlab wurden speziell für die hohen Anforderungen des fortschrittlichen SiC-Kristallwachstums mittels physikalischer Dampftransportverfahren (PVT) entwickelt. Hergestellt durch ein kontrolliertes chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD), zeichnen sich diese Quellmaterialien durch außergewöhnliche Reinheit, Dichte und strukturelle Gleichmäßigkeit aus – entscheidend für ein stabiles Sublimationsverhalten und hochwertiges Boule-Wachstum. Die CVD-SiC-Quellen von Semixlab sind optimiert, um metallische und Stickstoffverunreinigungen zu minimieren, die Bildung von Mikrokanälen zu reduzieren und einen gleichmäßigen Dampfphasentransport über lange Wachstumszyklen hinweg zu gewährleisten. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.

Beschreibung

Bei der Herstellung von 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafern stößt das traditionelle physikalische Dampftransportverfahren (PVT) oft an seine Grenzen: Kohlenstaubverunreinigung (C-Staub) und instabile Sublimationsraten aus dem SiC-Pulver.

Wir haben unsere hochreinen CVD-SiC-Quellblöcke und -stücke speziell entwickelt, um die Präzisionsgrenzen herkömmlicher Pulverquellen zu überwinden. Ausgehend von CVD-SiC-Vorläufern in Halbleiterqualität durchlaufen die Materialien einen firmeneigenen Prozess des Zerkleinerns und Klassierens. Dabei geht es nicht nur um die Oberflächenreinigung, sondern um einen Tiefenreinigungsprozess, der wiederaufbereitete Komponenten in ein leistungsstarkes Quellmaterial für die nächste Generation von SiC-Wafern verwandelt. Das Ergebnis ist ein hochdichtes Quellmaterial der Reinheitsklasse 7N, das die thermischen Feldgradienten optimiert und die Kristallwachstumsausbeute deutlich erhöht.

Spezifikationen

Spezifikationen & Bestellung

● Reinheit: 6N5 bis 7N

● Größe: 5 mm - 50 mm (anpassbar)

● Verpackung: Doppellagige, vakuumversiegelte antistatische PE-Beutel.

● Lieferzeit: Stabile Lieferkette mit globalen Versandmöglichkeiten.

Das Ausgangsmaterial der nächsten Generation für das PVT-basierte SiC-Kristallwachstum

Anwendungen

Zielanwendungen

PVT-SiC-Kristallwachstum: Ideal für leitfähige und halbisolierende 4H-SiC-Substrate.

Scale-up auf 8-Zoll-Wafer: Entwickelt für die größeren thermischen Felder von Reaktoren der nächsten Generation, bei denen die Pulverinstabilität verstärkt auftritt.

High-End-Forschung und -Entwicklung: Für Labore, die eine möglichst geringe Ätzgrubendichte (EPD) und MPD benötigen.

Semixlab SiC Rohmaterialien

Der Semixlab-Vorteil: Datengestützte Zuverlässigkeit

Mit dem Übergang der Branche zur 8-Zoll-SiC-Fertigung wird die Gleichmäßigkeit der Ausgangsmaterialien zum Hauptfaktor für die Anlagenverfügbarkeit. CVD-SiC-Stücke bieten die hohe Stapeldichte und die vorhersagbare Sublimation, die für langzyklische, ertragreiche Kristallisationsprozesse erforderlich sind.

GDMS-zertifiziert: Jede Charge wird mit einem vollständigen GDMS-Analysebericht ausgeliefert.

Kundenspezifische Sortierung: Wir bieten eine präzise Größensortierung (z. B. 5-20 mm oder 20-50 mm) an, die auf Ihre spezifische Tiegelgeometrie abgestimmt ist.

Wettbewerbsvorteilen

Der Semixlab-Vorteil: Höhere Ausbeute, niedrigere Kosten

Hochreine CVD-SiC-Stücke

7N Ultra-Reinheit: Die vollständige Kontrolle metallischer Verunreinigungen ist für uns nicht nur ein Ziel, sondern Standard. Durch die Verwendung von CVD-basierten Rohstoffen liefern wir eine Quelle mit einem Reinheitsgrad von 99.99999 %, die sicherstellt, dass Ihre 4H-SiC-Kristalle vom Keim bis zum fertigen Kristall fehlerfrei bleiben.

Die Wachstumsbarriere durchbrechen: Die meisten Halbleiterfertigungsanlagen erreichen nur 0.5 mm/h. Semixlab-Chunks ermöglichen einen überlegenen Stoffaustausch und steigern so die PVT-Prozessgeschwindigkeit auf 1.46 mm/h. Das ist der schnellste Weg, Ihre 8-Zoll-Produktion zu skalieren.

Saubere Sublimation: Herkömmliche Pulver leiden unter „C-Staub“-Verunreinigungen. Unsere feste Brockenform gewährleistet partikelfreie Dampfphasen, reduziert die MPD und hält die Versetzungszahlen bei etwa 3000 cm⁻².

Industrielle Effizienz: Wir bieten eine nachhaltige, hochreine Alternative durch die Rückgewinnung von CVD-SiC in Halbleiterqualität. Sie erhalten ein Material, das reiner als synthetisches Pulver ist, aber dennoch für die Massenproduktion geeignet ist.

Technischer Vergleich: Stückchen vs. traditionelles Pulver

Funktion Traditionelles SiC-Pulver Semixlab CVD-SiC-Stücke
Physische Form Feines Pulver (Skala von μm bis mm) Gleichförmige Stücke (5–50 mm)
Reinheitsgrad 5 N - 6 N 7N (99.99999 %)
Kohlenstaubrisiko Hoch (führt zu Einschlüssen) Nicht existent
Wachstumsrate 0.4 - 0.7 mm/h Bis zu 1.46 mm/h
Packungsdichte Variabel/Niedrig Hoch und konstant
Thermische Stabilität Neigt zur Krustenbildung am Boden Stabile Sublimationskinetik
ANFRAGE

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