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CVD-Feststoff-SiC-Fokusringe
Die CVD-Vollsiliziumcarbid-Fokusringe von Semixlab sind speziell für anspruchsvolle Plasmaätzprozesse entwickelt und zeichnen sich durch außergewöhnliche Plasmastabilität, extrem geringe Kontamination und lange Lebensdauer aus. Hergestellt aus hochdichtem CVD-Siliziumcarbid, bieten diese Fokusringe eine hervorragende Beständigkeit gegen Plasmaerosion und chemische Angriffe und eignen sich daher ideal für kritische Ätzprozesse in der Halbleiterfertigung. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
Beschreibung
Die Zukunft des Ätzens unter 7 nm gestalten: 99.99999 % ultrahohe Reinheit | Stabiles HAR-Ätzen | Bessere Alternative zu Siliziumringen
Im Zeitalter von 3D-NAND- und GAA-Transistoren mit über 300 Lagen sind herkömmliche Verbrauchsmaterialien die Hauptursache für Ausbeuteprobleme. Die CVD-Fokusringe aus massivem SiC von Semixlab sind für die hohe Plasmadichte ausgelegt, die für das Ätzen mit hohem Aspektverhältnis (HAR) erforderlich ist. Sie erzeugen eine stabile, partikelfreie Umgebung, die herkömmliche Siliziumringe (Si) nicht bieten können.
Industriestandard: Warum führende Halbleiterhersteller auf festes SiC umsteigen
7-Nines (99.99999%) Metallic Purity: Using our proprietary Advanced Chemical Vapor Deposition process, we achieve total metallic impurities < 0.1 ppm. This plays a key role in avoiding charge-related defects and heavy metal pollution in advanced logic and memory chips.
Präzise Edge Roll-off (ERO)-Kontrolle: Unsere massiven SiC-Ringe gewährleisten einen stabilen elektrischen Widerstand und eine hohe Wärmeleitfähigkeit (≥ 150 W/m·K). Dadurch entsteht eine gleichmäßige Plasmaschicht am Waferrand.
Dies löst direkt die Probleme des Randabrolls, die die Gleichmäßigkeit von 12-Zoll-Wafern beeinträchtigen.
Erosionsbeständigkeit beim HAR-Ätzen: In hochenergetischen fluorbasierten (CF4/CHF3) und chlorbasierten (Cl2) Plasmen weist festes SiC eine um 80 % geringere Erosionsrate auf als einkristallines Silizium. Dies verlängert die Wartungsintervalle und senkt die Gesamtbetriebskosten (CoO) erheblich.
Monolithische, massive Integrität: Im Gegensatz zu SiC-beschichtetem Graphit bestehen unsere Bauteile zu 100 % aus dichtem, massivem SiC. Dadurch wird das Risiko von Mikrorissen oder Beschichtungsablösungen eliminiert und eine katastrophale Partikelkontamination während der Hochleistungsätzzyklen verhindert.
Optimiert für Ätzplattformen der nächsten Generation
Unser Fertigungszentrum nutzt 5-Achs-Hochgeschwindigkeits-CNC-Maschinen und Lasermesstechnik, um 100%ige Kompatibilität mit den OEM-Spezifikationen zu gewährleisten für:
● Leiterätzung: Poly-Si- und Silizidätzung.
● Dielektrisches Ätzen: Kontakt- und Grabenätzen mit hohem Aspektverhältnis (HAR).
● Kompatibilität: Direkter Ersatz für die Plattformen von Lam Research (Kiyo/Versys), Applied Materials (Centris) und TEL (Tactras/Vigus).
Spezifikationen
| Technische Parameter | Semixlab CVD Festes SiC | Branchenbenchmark (Si) | Wettbewerbsvorteil |
| Chemische Reinheit | 99.99999 % (7N) | 99.999 % (5N) | Beseitigt Ionenleckage |
| Phasenzusammensetzung | 100 % β-SiC (kubisch) | Einkristallines Si | Isotropische Ätzbeständigkeit |
| Relative Dichte | ≥99.8 % (3.20 g/cm³) | N / A | Nullporositätsstruktur |
| Vickers-Härte | 28 - 30 GPa | ~9 GPa | Widersteht Ionenbeschuss |
| Reibungskoeffizient | Ra <0.2 μm | Ra ~0.5μm | Minimale Polymerhaftung |
Anwendungen
Wichtige Anwendungsfelder
Wo höchste Reinheit und Plasmabeständigkeit gefordert sind, setzt unser CVD-Fest-SiC den Industriestandard:
● Skalierung von 3D-NAND und DRAM: Entwickelt für die Herausforderungen des HAR-Ätzens (High Aspect Ratio). Es bietet die erforderliche Stabilität, um über 300 Schichten ohne Profilverzerrung zu ätzen.
● Logikknoten unter 7 nm: Speziell für FinFET- und GAA-Architekturen. Wir unterstützen Halbleiterhersteller bei der Beseitigung von Spurenmetallverunreinigungen und schützen so das empfindliche Gitter der Transistoren der nächsten Generation.
● Leistungshalbleiter-Hub: Ob SiC-Epitaxie oder Tiefengrabenätzung für GaN – unsere Bauteile bewältigen die hohen thermischen Belastungen der Produktion von Breitbandlückenmaterialien.
● TSV & Advanced Packaging: Optimiert für Through-Silicon-Via-Prozesse, gewährleistet die für die 2.5D/3D-Integration notwendige Seitenwandglätte und vertikale Präzision.
Unsere Dienstleistungen
