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Hochreine isostatische Graphit-Dichtungsringe
Isostatische Graphit-Dichtungsringe für Halbleiter
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Hochreine isostatische Graphit-Dichtungsringe


Die hochreinen isostatisch gepressten Graphit-Dichtungsringe von Semixlab wurden für den stabilen und kontaminationskontrollierten Betrieb moderner Halbleiterfertigungsanlagen entwickelt. Hergestellt aus ultrareinem, isostatisch gepresstem Graphit, bieten diese Dichtungsringe zuverlässige Dichtleistung in den typischen Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohem Vakuum und aggressiven Chemikalien, wie sie bei Epitaxie-, CVD/LPCVD/PECVD-, Diffusions-, Oxidations-, RTP- und Ätzprozessen auftreten. Die Graphit-Dichtungsringe von Semixlab tragen zur Aufrechterhaltung der Prozessstabilität bei, reduzieren das Risiko von Partikel- und Metallverunreinigungen und verlängern die Wartungsintervalle der Anlagen. Wir freuen uns auf Ihre Anfragen.

Beschreibung

Die hochreinen isostatisch gepressten Graphit-Dichtungsringe von Semixlab werden aus ultrahochreinem Graphit hergestellt. Diese Dichtungsringe bieten eine stabile Dichtungsleistung mit geringer Kontamination, die die Prozesszuverlässigkeit, die Konsistenz der Ausbeute und die Anlagenverfügbarkeit bei fortschrittlichen Front-End-Wafer-Fertigungsprozessen direkt unterstützt.

In Epitaxiesystemen, in denen präzise Kontrolle des Gasflusses, Druckstabilität und thermische Homogenität unerlässlich sind, spielen die hochreinen isostatischen Graphit-Dichtungsringe von Semixlab eine entscheidende Rolle für die Aufrechterhaltung der Reaktorintegrität bei anhaltenden Temperaturen von oft über 1000 °C. Diese Dichtungsringe werden an Kammerübergängen, Dichtungsgrenzen und rotierenden oder stationären Verbindungen innerhalb der Heizzone installiert und weisen eine geringe und isotrope Wärmeausdehnung auf, wodurch sie auch bei wiederholten Temperaturzyklen ihre Dimensionsstabilität bewahren. Ihr außergewöhnlich niedriger Gehalt an metallischen Verunreinigungen minimiert das Risiko unbeabsichtigter Dotierstoffeinlagerung oder Metallkontamination und trägt so zu einer gleichmäßigen Epitaxieschichtdicke, kontrollierten Dotierungsprofilen und hochwertigem Kristallwachstum sowohl in Silizium- als auch in Verbindungshalbleiter-Epitaxieprozessen bei.

Bei CVD-, LPCVD- und PECVD-Anwendungen sind Dichtungskomponenten hohen Temperaturen, Vakuum, korrosiven Vorläufergasen und teilweise auch Plasma ausgesetzt. Die hochreinen isostatischen Graphit-Dichtungsringe von Semixlab finden breite Anwendung in Kammerdichtungen, Gasisolierungsstrukturen und Übergangszonen zwischen heißen und kalten Bereichen des Reaktors. Die inhärente chemische Beständigkeit von hochreinem Graphit ermöglicht einen stabilen Betrieb in Gegenwart aggressiver Prozessgase wie HCl, NH₃ und halogenbasierter Vorläufer. Gleichzeitig reduziert die dichte, isotrope Mikrostruktur die Partikelbildung und den mechanischen Verschleiß über die gesamte Lebensdauer. Im Vergleich zu metallischen Dichtungslösungen bieten Graphit-Dichtungsringe eine überlegene Beständigkeit gegen Korrosion und thermische Ermüdung. Dies trägt zu längeren Wartungsintervallen und einer verbesserten Prozessreproduzierbarkeit in der Serienfertigung bei.

Hochtemperaturdiffusion, Oxidation und schnelle thermische Verarbeitung stellen aufgrund extremer Temperaturen, schneller Temperaturanstiege und häufiger Prozesszyklen hohe Anforderungen an die Dichtungsleistung. In diesen Umgebungen gewährleisten die hochreinen isostatischen Graphit-Dichtungsringe von Semixlab eine gleichbleibende Dichtigkeit bei Temperaturen über 1100 °C und unterstützen eine stabile Atmosphärenkontrolle in Ofenrohren und RTP-Kammern. Die durch isostatisches Pressen erzielten gleichmäßigen mechanischen Eigenschaften tragen dazu bei, lokale Spannungskonzentrationen, Mikrorisse und Dichtungsverformungen während des schnellen Erhitzens und Abkühlens zu vermeiden. Dies fördert stabile Dotierstoffdiffusionsprofile, gleichmäßiges Oxidwachstum und reproduzierbare Ergebnisse der thermischen Prozesse – allesamt entscheidend für die Herstellung fortschrittlicher Logik- und Speicherbauelemente.

Beim Ätzprozess, einschließlich Trockenätzverfahren mit halogenbasierten Chemikalien und plasmaunterstützten Umgebungen, sind Dichtungsringe erforderlich, um die Vakuumdichtheit aufrechtzuerhalten und gleichzeitig die Partikelbildung und den chemischen Abbau zu minimieren. Die hochreinen isostatischen Graphit-Dichtungsringe von Semixlab werden typischerweise in Bereichen eingesetzt, die nicht direkt dem Plasma ausgesetzt sind, wie z. B. an den Peripherie-Dichtungsflächen der Kammer und in Bereichen mit struktureller Isolation. In Kombination mit geeigneten Oberflächenverdichtungen oder Schutzbeschichtungen bieten diese Dichtungsringe zuverlässigen Schutz vor korrosiven Ätzgasen und thermischer Belastung, unterstützen stabile Kammerbedingungen und reduzieren das Risiko von durch Kontamination bedingten Ertragsverlusten.

Die hochreinen isostatischen Graphit-Dichtungsringe von Semixlab wurden mit Fokus auf Materialreinheit, strukturelle Stabilität und Langzeitstabilität entwickelt. Ihre Kompatibilität mit fortschrittlichen Beschichtungstechnologien und die Integration in komplexe Halbleiteranlagen machen sie zu einer bewährten Lösung für innovative und etablierte Prozessknoten. Durch die gleichbleibende Dichtleistung selbst unter anspruchsvollsten Prozessbedingungen unterstützt Semixlab Halbleiterhersteller dabei, höhere Ausbeuten, eine verbesserte Anlagenauslastung und niedrigere Gesamtbetriebskosten zu erzielen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Spezifikationen
Physikalische Eigenschaften von isostatischem Graphit
Eigenschaft Einheit Typischer Wert
Schüttdichte g / cm³ 1.83
Härte HSD 58
Elektrischer widerstand μΩ.m 10
Biegefestigkeit MPa 47
Druckfestigkeit MPa 103
Zugfestigkeit MPa 31
Elastizitätsmodul GPa 11.8
Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.6
Wärmeleitfähigkeit W·m-1·K-1 130
Durchschnittliche Korngröße & mgr; m 8 bis 10
Porosität % 10
Aschegehalt ppm ≤5 (nach Reinigung)
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