EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
SiC-beschichtete Halbmond-Bauteile
LPE-Halbmondkomponenten sind präzisionsgefertigte Reaktorkomponenten für Hochtemperatur-Halbleiterepitaxie. Hergestellt aus hochreinem isostatischem Graphit und geschützt durch eine dichte SiC-Beschichtung, spielen diese Komponenten eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Temperaturfeldverteilung, der Stabilisierung der Gasströmungsdynamik und der Minimierung von Partikelverunreinigungen in LPE-, CVD- und MOCVD-Epitaxieanlagen. Ihre Halbmondform wurde speziell entwickelt, um die Prozessgleichmäßigkeit zu verbessern, Randeffekte zu reduzieren und die Qualität der Epitaxieschichten für anspruchsvolle Anwendungen mit Si-, SiC- und GaN-Materialien zu erhöhen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage.
Beschreibung
Diese SiC-beschichteten Halbmondteile sind im Grunde Präzisionsgraphitkomponenten, die in der Hochtemperatur-SiC-Epitaxie eingesetzt werden. Nach dem Einbau in die Heizzone des Reaktors tragen sie zur Stabilität der Kammer, zum Erhalt des thermischen Gleichgewichts und zur Sicherstellung eines gleichmäßigen Gasflusses über lange Produktionsläufe bei.
Sie bestehen aus hochreinem Graphit mit einer dichten CVD-SiC-Beschichtung. Wenn Sie eine Reaktorplattform betreiben, die mit Epitaxiesystemen des Typs LPE SpA kompatibel ist, können diese Teile als direkter Ersatz dienen oder bei Bedarf angepasst werden.
Hauptfunktionen
-Hochreines isostatisches Graphitsubstrat
-Dichte CVD-SiC-Schutzschicht
- Gute Beständigkeit gegen Temperaturschocks
-Geringe Partikelerzeugung im Betrieb
Die Beschichtung hält gut
-Funktioniert einwandfrei bei Langzeit-Epitaxie
Was liefern wir?
Wir stellen verschiedene Reaktorbauteile her, die in Kammerstrukturen vom LPE-Typ passen:
-Halbmondkomponenten
-Schutzabdeckungen
-Strömungsführungsteile
-Wafer-Unterstützungsteile
-Abschirmringe
-Kundenspezifische Graphitbaugruppen
Industrie
Jedes Bauteil wird zunächst aus ausgewählten Graphitsorten präzisionsgefertigt, anschließend mit CVD-SiC beschichtet und abschließend auf Maßhaltigkeit geprüft. Wir kontrollieren die Schichtdicke, die Oberflächenbeschaffenheit und die kritischen Abmessungen, um eine gleichbleibende Leistung in der Halbleiterfertigung zu gewährleisten.
Kundenspezifische Leistungen
Wir helfen Ihnen gerne bei:
-Fertigung von OEM-Ersatzteilen
-Anpassung nach Ihren Zeichnungen
-Reverse Engineering anhand von Mustern
-Unterstützung der Serienproduktion
Spezifikationen
Typische technische Parameter
| Parameter | Typischer Wert |
| Grundwerkstoffe | Hochreiner isostatischer Graphit |
| Beschichtung | CVD-SiC |
| Beschichtungsreinheit | > 99.99999% |
| Dichte (Graphit) | 1.75 – 1.90 g/cm³ |
| Umgebungstemperaturbereich | bis zu 2000°C+ |
| Beschichtungsdicke | 50 – 200 μm (einstellbar) |
| Oberflächenrauheit (Ra) | Kontrolle pro Anwendung |
| Haftkraft | Keine Delamination bei Temperaturwechseln |
| Chemische Resistenz | Stabil in H₂ und Si-haltigen Gasen |
Anwendungen
Diese Teile finden breite Anwendung in:
-SiC-Epitaxiereaktoren
-Halbleiter-CVD-Anlagen
-Hochtemperatur-Kristallzuchtsysteme
Sie eignen sich besonders für Reaktorplattformen, die mit Epitaxieanlagen von LPE SpA kompatibel sind.
Unsere Dienstleistungen
Semixlab Produktshop
